Diodes - Rectifiers - Arrays

Дома
Diodes - Rectifiers - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40020RL

Дел Акција: 4427

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

UFT10010

Дел Акција: 4329

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

UFT14040

Дел Акција: 4297

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60060R

Дел Акција: 5500

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030R

Дел Акција: 4244

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF20080R

Дел Акција: 4265

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40045L

Дел Акција: 4263

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035RL

Дел Акција: 4240

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTL

Дел Акција: 4218

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF300200

Дел Акција: 4220

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTL

Дел Акција: 4466

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30040RL

Дел Акција: 4233

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST6340M

Дел Акција: 4239

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30020RL

Дел Акција: 4210

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF300100R

Дел Акција: 4274

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF60035R

Дел Акција: 4238

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50045

Дел Акција: 4223

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF40060R

Дел Акција: 4278

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF20060R

Дел Акција: 4227

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF40060

Дел Акција: 4267

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF500100

Дел Акција: 4242

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF20040

Дел Акција: 4277

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF120100R

Дел Акција: 4221

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA500100

Дел Акција: 4215

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030L

Дел Акција: 4248

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50040

Дел Акција: 4425

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF400150R

Дел Акција: 4229

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF200150R

Дел Акција: 4251

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF20040R

Дел Акција: 4264

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA40035RL

Дел Акција: 4295

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURF40040R

Дел Акција: 4458

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF40020

Дел Акција: 4289

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA500200R

Дел Акција: 4310

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF40045R

Дел Акција: 4269

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF400200

Дел Акција: 4260

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF40040R

Дел Акција: 4239

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

894

«
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
»