Diodes - Bridge Rectifiers | Discrete Semiconductor Products | 1

GHXS010A060S-D1

Дел Акција: 2081

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100µA @ 600V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1

Дел Акција: 537

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 1.2kV, Тековна - Просечна исправена (Io): 45A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 45A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 300µA @ 1200V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1E

Дел Акција: 534

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 1.2kV, Тековна - Просечна исправена (Io): 45A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 45A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 300µA @ 1200V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1E

Дел Акција: 1190

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 1.2kV, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100µA @ 1200V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1

Дел Акција: 1154

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 1.2kV, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100µA @ 1200V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1

Дел Акција: 1478

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 20A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200µA @ 600V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1

Дел Акција: 1214

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100µA @ 600V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1

Дел Акција: 658

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 1.2kV, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200µA @ 1200V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1E

Дел Акција: 720

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 1.2kV, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200µA @ 1200V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1E

Дел Акција: 1471

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 20A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 200µA @ 600V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D1E

Дел Акција: 2062

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100µA @ 600V,

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1E

Дел Акција: 1161

Тип на диода: Single Phase, Технологија: Silicon Carbide Schottky, Напон - Врв наназад (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100µA @ 600V,

Листа на желби.