Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
GSXD030A006S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD030A006S1-D3

Дел Акција: 5311

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS050A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS050A060S-D4

Дел Акција: 1422

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS060A120S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS060A120S-D4

Дел Акција: 657

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF030A120S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF030A120S1-D3

Дел Акција: 5408

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF060A020S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A020S1-D3

Дел Акција: 3794

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS020A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D4

Дел Акција: 1996

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GP2D020A060U
Global Power Technologies Group

GP2D020A060U

Дел Акција: 12784

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.65V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.
GSXD120A012S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A012S1-D3

Дел Акција: 4555

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS030A120S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D4

Дел Акција: 1197

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.
GHXS015A120S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

Дел Акција: 1918

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS030A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D3

Дел Акција: 1932

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS045A120S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D3

Дел Акција: 907

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 45A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 45A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF060A060S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A060S1-D3

Дел Акција: 5768

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

Дел Акција: 3747

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF030A040S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF030A040S1-D3

Дел Акција: 6069

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GP2D024A060U
Global Power Technologies Group

GP2D024A060U

Дел Акција: 21283

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 36A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.65V @ 12A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.
GHXS045A120S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D4

Дел Акција: 845

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 45A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 45A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF030A060S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF030A060S1-D3

Дел Акција: 5945

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS010A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D4

Дел Акција: 3727

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GP2D016A120U
Global Power Technologies Group

GP2D016A120U

Дел Акција: 17930

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 24A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 8A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.
GSXF120A060S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF120A060S1-D3

Дел Акција: 3644

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS030A060S-D4
Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D4

Дел Акција: 1867

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD030A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD030A008S1-D3

Дел Акција: 5284

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GHXS060A120S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS060A120S-D3

Дел Акција: 732

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 60A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.
GHXS050A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS050A060S-D3

Дел Акција: 1404

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD030A004S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD030A004S1-D3

Дел Акција: 5375

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD120A015S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A015S1-D3

Дел Акција: 3628

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF100A020S1-D3

Дел Акција: 3464

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF100A120S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF100A120S1-D3

Дел Акција: 3311

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A008S1-D3

Дел Акција: 3421

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF060A040S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A040S1-D3

Дел Акција: 4597

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD100A006S1-D3

Дел Акција: 3452

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD120A010S1-D3

Дел Акција: 3711

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD050A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD050A008S1-D3

Дел Акција: 4339

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXF060A100S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXF060A100S1-D3

Дел Акција: 4206

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSXD080A008S1-D3
Global Power Technologies Group

GSXD080A008S1-D3

Дел Акција: 3852

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.