Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 3

GSXD060A018S1-D3

Дел Акција: 3533

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 180V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD060A010S1-D3

Дел Акција: 4530

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF100A100S1-D3

Дел Акција: 3391

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A012S1-D3

Дел Акција: 3525

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF060A120S1-D3

Дел Акција: 3187

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD160A015S1-D3

Дел Акција: 2582

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD120A004S1-D3

Дел Акција: 3499

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF030A020S1-D3

Дел Акција: 4278

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A018S1-D3

Дел Акција: 3373

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 180V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A015S1-D3

Дел Акција: 4033

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF120A120S1-D3

Дел Акција: 3269

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD060A008S1-D3

Дел Акција: 3820

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD160A008S1-D3

Дел Акција: 2764

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A004S1-D3

Дел Акција: 4780

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A015S1-D3

Дел Акција: 3546

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A015S1-D3

Дел Акција: 3626

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A012S1-D3

Дел Акција: 3740

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GP2D030A120U

Дел Акција: 4458

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 15A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GP2D060A120U

Дел Акција: 2940

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 94A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 30A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GDP30D120B

Дел Акција: 4177

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GP2D020A065U

Дел Акција: 12168

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.65V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GDP24D060B

Дел Акција: 4184

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 12A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GP2D020A120U

Дел Акција: 7944

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 33A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GDP60D120B

Дел Акција: 4163

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GP2D010A120U

Дел Акција: 15850

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 17A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GDP60Y120B

Дел Акција: 4230

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GP2D040A120U

Дел Акција: 4340

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 65A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GDP48Y060B

Дел Акција: 4217

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 24A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 24A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.