Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 3

GSXD060A006S1-D3

Дел Акција: 3906

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD120A020S1-D3

Дел Акција: 3353

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD060A004S1-D3

Дел Акција: 4770

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D3

Дел Акција: 2086

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A020S1-D3

Дел Акција: 3234

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD060A020S1-D3

Дел Акција: 3381

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A004S1-D3

Дел Акција: 4472

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD160A020S1-D3

Дел Акција: 2564

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A010S1-D3

Дел Акција: 4264

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF100A060S1-D3

Дел Акција: 3401

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A020S1-D3

Дел Акција: 3480

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A006S1-D3

Дел Акција: 4403

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF100A040S1-D3

Дел Акција: 3366

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A008S1-D3

Дел Акција: 3637

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF030A100S1-D3

Дел Акција: 4593

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD120A006S1-D3

Дел Акција: 3548

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A010S1-D3

Дел Акција: 3649

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF120A100S1-D3

Дел Акција: 3351

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D3

Дел Акција: 1125

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 30A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD030A010S1-D3

Дел Акција: 5259

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A006S1-D3

Дел Акција: 3916

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD120A018S1-D3

Дел Акција: 3499

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 180V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD060A012S1-D3

Дел Акција: 3656

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A018S1-D3

Дел Акција: 3569

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 180V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A020S1-D3

Дел Акција: 3837

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD160A018S1-D3

Дел Акција: 2523

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 180V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD160A012S1-D3

Дел Акција: 2661

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD160A010S1-D3

Дел Акција: 2749

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD060A015S1-D3

Дел Акција: 3529

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A018S1-D3

Дел Акција: 3985

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 180V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D4

Дел Акција: 1973

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF120A020S1-D3

Дел Акција: 3421

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXF120A040S1-D3

Дел Акција: 3601

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD050A012S1-D3

Дел Акција: 4093

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD100A004S1-D3

Дел Акција: 3380

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Global Power Technologies Group

GSXD080A010S1-D3

Дел Акција: 3765

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.