Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R280C6FKSA1

Дел Акција: 30026

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Листа на желби.
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPP65R660CFDXKSA1

Дел Акција: 71639

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Листа на желби.
SN7002NH6327XTSA1
Infineon Technologies

SN7002NH6327XTSA1

Дел Акција: 1468

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD122N10N3GBTMA1

Дел Акција: 1414

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 59A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V,

Листа на желби.
IPB65R600C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R600C6ATMA1

Дел Акција: 96627

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Листа на желби.
IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1

Дел Акција: 57470

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 7.6A, 10V,

Листа на желби.
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies

IPB039N04LGATMA1

Дел Акција: 1437

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R1K4CEATMA1

Дел Акција: 181536

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 13V,

Листа на желби.
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies

IPW65R190C6FKSA1

Дел Акција: 24551

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Листа на желби.
IPP90N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP90N04S402AKSA1

Дел Акција: 1192

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 90A, 10V,

Листа на желби.
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies

IPW65R310CFDFKSA1

Дел Акција: 32469

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

Листа на желби.
IPN50R3K0CEATMA1
Infineon Technologies

IPN50R3K0CEATMA1

Дел Акција: 109700

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

Листа на желби.
IRFH7107TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7107TR2PBF

Дел Акција: 1447

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 45A, 10V,

Листа на желби.
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R600P7SATMA1

Дел Акција: 130801

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V,

Листа на желби.
IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies

IRFR4620TRLPBF

Дел Акција: 102980

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD530N15N3GBTMA1

Дел Акција: 1479

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies

IRLML6244TRPBF

Дел Акција: 104946

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Листа на желби.
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Дел Акција: 1460

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.
IPB65R660CFDATMA1
Infineon Technologies

IPB65R660CFDATMA1

Дел Акција: 6165

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Листа на желби.
IPN80R750P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R750P7ATMA1

Дел Акција: 9916

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Листа на желби.
IPD038N04NGBTMA1
Infineon Technologies

IPD038N04NGBTMA1

Дел Акција: 1444

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

Листа на желби.
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies

IPB230N06L3GATMA1

Дел Акција: 1420

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
IRL2910PBF
Infineon Technologies

IRL2910PBF

Дел Акција: 30729

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 29A, 10V,

Листа на желби.
IPI65R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPI65R600C6XKSA1

Дел Акција: 76220

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Листа на желби.
IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

Дел Акција: 9932

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
IPP120N04S402AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S402AKSA1

Дел Акција: 1208

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R280C6XKSA1

Дел Акција: 48437

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Листа на желби.
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R110CFDXKSA1

Дел Акција: 19795

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

Листа на желби.
IPL60R085P7AUMA1
Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1

Дел Акција: 9982

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 11.8A, 10V,

Листа на желби.
IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies

IPN80R2K4P7ATMA1

Дел Акција: 9955

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,

Листа на желби.
IPB60R950C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB60R950C6ATMA1

Дел Акција: 1419

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.
IPB009N03LGATMA1
Infineon Technologies

IPB009N03LGATMA1

Дел Акција: 9903

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.
IPD90R1K2C3BTMA1
Infineon Technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

Дел Акција: 1460

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Листа на желби.
IRFI4410ZGPBF
Infineon Technologies

IRFI4410ZGPBF

Дел Акција: 1390

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 26A, 10V,

Листа на желби.
IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB65R380C6ATMA1

Дел Акција: 70807

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Листа на желби.
IPD65R380E6BTMA1
Infineon Technologies

IPD65R380E6BTMA1

Дел Акција: 93019

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Листа на желби.