Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 99

LFEC1E-3TN100I

Дел Акција: 7775

Број на логички елементи / ќелии: 1500, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 67, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-4FN256I

Дел Акција: 97

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP20E-4FN484I

Дел Акција: 542

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-2000HC-4TG100I

Дел Акција: 6562

Број на лаборатории / CLB: 264, Број на логички елементи / ќелии: 2112, Вкупни битови за RAM меморија: 75776, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFXP3C-3T100C

Дел Акција: 8824

Број на логички елементи / ќелии: 3000, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 62, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO3L-9400E-6BG256C

Дел Акција: 85

Број на лаборатории / CLB: 1175, Број на логички елементи / ќелии: 9400, Вкупни битови за RAM меморија: 442368, Број на I / O: 206, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-4FN256C

Дел Акција: 97

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-4TG100CR1

Дел Акција: 6620

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 79, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFXP2-8E-6FT256C

Дел Акција: 8889

Број на лаборатории / CLB: 1000, Број на логички елементи / ќелии: 8000, Вкупни битови за RAM меморија: 226304, Број на I / O: 201, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-4FN484I

Дел Акција: 228

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 288, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35E-7F484C

Дел Акција: 8775

Број на лаборатории / CLB: 4250, Број на логички елементи / ќелии: 34000, Вкупни битови за RAM меморија: 2151424, Број на I / O: 303, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC15E-4FN484C

Дел Акција: 7692

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 352, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC10E-4FN256C

Дел Акција: 7679

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-20E-5F256C

Дел Акција: 7328

Број на лаборатории / CLB: 2625, Број на логички елементи / ќелии: 21000, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 193, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC15E-4FN484I

Дел Акција: 373

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 352, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-1200HC-4MG132CR1

Дел Акција: 6636

Број на лаборатории / CLB: 160, Број на логички елементи / ќелии: 1280, Вкупни битови за RAM меморија: 65536, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFXP20C-3FN484C

Дел Акција: 6891

Број на логички елементи / ќелии: 20000, Вкупни битови за RAM меморија: 405504, Број на I / O: 340, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-6FFN1704I

Дел Акција: 874

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 904, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP6E-3FN484C

Дел Акција: 82

Број на логички елементи / ќелии: 6100, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 224, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000ZE-3MG132I

Дел Акција: 6145

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC15E-3FN484C

Дел Акција: 6784

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 352, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP15E-3FN256I

Дел Акција: 490

Број на логички елементи / ќелии: 15400, Вкупни битови за RAM меморија: 358400, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-3F256C

Дел Акција: 8056

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 195, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFXP10E-5FN256C

Дел Акција: 8487

Број на логички елементи / ќелии: 10000, Вкупни битови за RAM меморија: 221184, Број на I / O: 188, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-3M132I

Дел Акција: 7030

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 101, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFX125EB-04FN256C

Дел Акција: 8242

Број на логички елементи / ќелии: 1936, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 160, Број на Гејтс: 139000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFXP2-8E-5FT256C

Дел Акција: 8817

Број на лаборатории / CLB: 1000, Број на логички елементи / ќелии: 8000, Вкупни битови за RAM меморија: 226304, Број на I / O: 201, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA80E-5FFN1704C

Дел Акција: 843

Број на лаборатории / CLB: 20000, Број на логички елементи / ќелии: 80000, Вкупни битови за RAM меморија: 5816320, Број на I / O: 904, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC10E-5FN484C

Дел Акција: 105

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 288, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFXP20C-5FN484C

Дел Акција: 8621

Број на логички елементи / ќелии: 20000, Вкупни битови за RAM меморија: 405504, Број на I / O: 340, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFECP10E-4FN484C

Дел Акција: 194

Број на логички елементи / ќелии: 10200, Вкупни битови за RAM меморија: 282624, Број на I / O: 288, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-3FT256C

Дел Акција: 6971

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-6MG132I

Дел Акција: 6189

Број на лаборатории / CLB: 540, Број на логички елементи / ќелии: 4320, Вкупни битови за RAM меморија: 94208, Број на I / O: 104, Напон - Набавка: 2.375V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC20E-4FN484C

Дел Акција: 7830

Број на логички елементи / ќелии: 19700, Вкупни битови за RAM меморија: 434176, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200C-5FT256C

Дел Акција: 7030

Број на лаборатории / CLB: 150, Број на логички елементи / ќелии: 1200, Вкупни битови за RAM меморија: 9421, Број на I / O: 211, Напон - Набавка: 1.71V ~ 3.465V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFEC1E-3T100C

Дел Акција: 7775

Број на логички елементи / ќелии: 1500, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 67, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.