Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

M1A3PE3000L-1FG896M

Дел Акција: 69

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000L-FG896M

Дел Акција: 65

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000L-1FGG484M

Дел Акција: 136

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 341, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1AFS1500-1FG484K

Дел Акција: 121

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 223, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000L-1FGG896M

Дел Акција: 79

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF500TLS-FCG1152I

Дел Акција: 123

Број на логички елементи / ќелии: 481000, Вкупни битови за RAM меморија: 33792000, Број на I / O: 584, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000L-FGG896

Дел Акција: 278

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

P1AFS1500-2FGG256

Дел Акција: 264

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 119, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF100TLS-FCSG325I

Дел Акција: 356

Број на логички елементи / ќелии: 109000, Вкупни битови за RAM меморија: 7782400, Број на I / O: 170, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M2GL150T-1FCV484I

Дел Акција: 286

Број на логички елементи / ќелии: 146124, Вкупни битови за RAM меморија: 5120000, Број на I / O: 248, Напон - Набавка: 1.14V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M2GL150TS-FCSG536

Дел Акција: 319

Број на логички елементи / ќелии: 146124, Вкупни битови за RAM меморија: 5120000, Број на I / O: 293, Напон - Набавка: 1.14V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300XT-FCG484I

Дел Акција: 5488

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 244, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300TS-FCG784I

Дел Акција: 166

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 388, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF500TL-FCG784I

Дел Акција: 98

Број на логички елементи / ќелии: 481000, Вкупни битови за RAM меморија: 33792000, Број на I / O: 388, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

P1AFS1500-2FGG484

Дел Акција: 233

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 223, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000L-1FGG896

Дел Акција: 205

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

P1AFS1500-2FGG256I

Дел Акција: 140

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 119, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M2GL150TS-1FC1152I

Дел Акција: 310

Број на логички елементи / ќелии: 146124, Вкупни битови за RAM меморија: 5120000, Број на I / O: 574, Напон - Набавка: 1.14V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF200T-FCSG325I

Дел Акција: 312

Број на логички елементи / ќелии: 192000, Вкупни битови за RAM меморија: 13619200, Број на I / O: 170, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M2GL090T-1FG484M

Дел Акција: 285

Број на логички елементи / ќелии: 86184, Вкупни битови за RAM меморија: 2648064, Број на I / O: 267, Напон - Набавка: 1.14V ~ 2.625V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000-1FGG324

Дел Акција: 261

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 221, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1AFS1500-1FGG484

Дел Акција: 258

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 223, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300XT-1FCG1152I

Дел Акција: 9132

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 512, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF200TLS-FCSG536I

Дел Акција: 207

Број на логички елементи / ќелии: 192000, Вкупни битови за RAM меморија: 13619200, Број на I / O: 300, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300XT-FCG784I

Дел Акција: 6605

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 388, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000-2FGG324I

Дел Акција: 248

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 221, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF200T-FCG784I

Дел Акција: 349

Број на логички елементи / ќелии: 192000, Вкупни битови за RAM меморија: 13619200, Број на I / O: 364, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF200TL-FCSG325E

Дел Акција: 239

Број на логички елементи / ќелии: 192000, Вкупни битови за RAM меморија: 13619200, Број на I / O: 170, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300T-FCG784E

Дел Акција: 217

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 388, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300T-1FCSG536E

Дел Акција: 222

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 300, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300TL-FCG484I

Дел Акција: 190

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 244, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF200TS-1FCSG536I

Дел Акција: 255

Број на логички елементи / ќелии: 192000, Вкупни битови за RAM меморија: 13619200, Број на I / O: 300, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300TL-FCVG484I

Дел Акција: 180

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 284, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1AFS1500-FG484

Дел Акција: 277

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 223, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

M1A3PE3000-1FG896

Дел Акција: 278

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

MPF300T-FCG1152I

Дел Акција: 202

Број на логички елементи / ќелии: 300000, Вкупни битови за RAM меморија: 21094400, Број на I / O: 512, Напон - Набавка: 0.97V ~ 1.08V,

Листа на желби.