Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Дома
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Microsemi Corporation

2N2919U

Дел Акција: 1529

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3810U

Дел Акција: 2166

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N2060L

Дел Акција: 2121

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N6987

Дел Акција: 1248

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N6988

Дел Акција: 1523

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N2919L

Дел Акција: 2004

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N2920U

Дел Акција: 161

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3838

Дел Акција: 1633

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N2920L

Дел Акција: 2061

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N6990

Дел Акција: 1262

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N5795

Дел Акција: 1968

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N2920

Дел Акција: 2258

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3810L

Дел Акција: 4091

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N2919

Дел Акција: 2136

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3810

Дел Акција: 3259

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N6989

Дел Акција: 4437

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3811L

Дел Акција: 4456

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3811U

Дел Акција: 4453

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

2N3811

Дел Акција: 4521

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

Дел Акција: 1050

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

Дел Акција: 1020

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 900 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

Дел Акција: 4491

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

Дел Акција: 4488

Тип на транзистор: 8 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

Дел Акција: 4551

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

Дел Акција: 4513

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

Дел Акција: 4460

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

Дел Акција: 1613

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

Дел Акција: 1921

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N6987

Дел Акција: 1383

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

Дел Акција: 1675

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

Дел Акција: 1284

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

Дел Акција: 163

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

Дел Акција: 1620

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

Дел Акција: 301

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

Дел Акција: 980

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

Дел Акција: 1262

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

89

«
1
2
3
»