Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Дома
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Microsemi Corporation

JANTX2N2919L

Дел Акција: 1721

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060L

Дел Акција: 835

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920L

Дел Акција: 1532

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N2920L

Дел Акција: 1944

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N4854U

Дел Акција: 4433

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N5796U

Дел Акција: 4445

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANS2N2920

Дел Акција: 617

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N6989

Дел Акција: 1252

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N3811

Дел Акција: 4496

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N3811L

Дел Акција: 4476

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2060

Дел Акција: 4482

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N5794U

Дел Акција: 4450

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2003J

Дел Акција: 4422

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811

Дел Акција: 4485

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2803J-DESC

Дел Акција: 4457

Тип на транзистор: 8 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N6989

Дел Акција: 1403

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N5794

Дел Акција: 4465

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2023J-DESC

Дел Акција: 4587

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 95V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810U

Дел Акција: 1474

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2823J-883B

Дел Акција: 4475

Тип на транзистор: 8 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 95V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N3811U

Дел Акција: 4430

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N6989U

Дел Акција: 4522

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N4854

Дел Акција: 586

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N6989

Дел Акција: 1489

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N6990

Дел Акција: 4451

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

SG2823J

Дел Акција: 4440

Тип на транзистор: 8 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 95V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N2920U

Дел Акција: 1510

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N6988

Дел Акција: 1211

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919

Дел Акција: 1627

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N2919U

Дел Акција: 1524

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919U

Дел Акција: 1139

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N5794

Дел Акција: 231

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JAN2N6990

Дел Акција: 1554

Тип на транзистор: 4 NPN (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N3810L

Дел Акција: 2505

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTX2N2920L

Дел Акција: 4518

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920U

Дел Акција: 4499

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

89

«
1
2
3
»