Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

  • Дома
  •  
  • Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)
A42MX16-3TQG176I
Microsemi Corporation

A42MX16-3TQG176I

Дел Акција: 333

Број на I / O: 140, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation

AFS600-1FG484I

Дел Акција: 397

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 172, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-2FG256M
Microsemi Corporation

A3P1000-2FG256M

Дел Акција: 391

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-2FGG256M
Microsemi Corporation

A3P1000-2FGG256M

Дел Акција: 393

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-1FG484M
Microsemi Corporation

A3P1000-1FG484M

Дел Акција: 401

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-1FGG484M
Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG484M

Дел Акција: 423

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AX500-2PQG208
Microsemi Corporation

AX500-2PQG208

Дел Акција: 352

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 115, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16P-1PQG208
Microsemi Corporation

A54SX16P-1PQG208

Дел Акција: 383

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 175, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A54SX16P-PQG208I
Microsemi Corporation

A54SX16P-PQG208I

Дел Акција: 361

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 175, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
APA300-FG256A
Microsemi Corporation

APA300-FG256A

Дел Акција: 342

Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 186, Број на Гејтс: 300000, Напон - Набавка: 2.375V ~ 2.625V,

Листа на желби.
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation

A54SX32A-2PQG208I

Дел Акција: 347

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 174, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation

APA300-FGG256A

Дел Акција: 356

Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 186, Број на Гејтс: 300000, Напон - Набавка: 2.375V ~ 2.625V,

Листа на желби.
A3P1000-1PQG208M
Microsemi Corporation

A3P1000-1PQG208M

Дел Акција: 407

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 154, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A42MX16-3PQG160I
Microsemi Corporation

A42MX16-3PQG160I

Дел Акција: 440

Број на I / O: 125, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
A3P1000-1FG484T
Microsemi Corporation

A3P1000-1FG484T

Дел Акција: 393

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-1FGG484T
Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG484T

Дел Акција: 432

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AFS600-FGG256I
Microsemi Corporation

AFS600-FGG256I

Дел Акција: 439

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 119, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation

AFS600-2FG256I

Дел Акција: 447

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 119, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
AFS600-2FGG256I
Microsemi Corporation

AFS600-2FGG256I

Дел Акција: 437

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 119, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16P-1TQG176
Microsemi Corporation

A54SX16P-1TQG176

Дел Акција: 448

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 147, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A54SX16P-TQG176I
Microsemi Corporation

A54SX16P-TQG176I

Дел Акција: 437

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 147, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation

A3PE1500-2FGG676I

Дел Акција: 414

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 444, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3PE1500-2FG676I
Microsemi Corporation

A3PE1500-2FG676I

Дел Акција: 385

Вкупни битови за RAM меморија: 276480, Број на I / O: 444, Број на Гејтс: 1500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A42MX16-2TQG176I
Microsemi Corporation

A42MX16-2TQG176I

Дел Акција: 393

Број на I / O: 140, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Листа на желби.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation

A42MX16-3TQG176

Дел Акција: 362

Број на I / O: 140, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation

AX500-FGG484

Дел Акција: 436

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 317, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation

APA450-PQG208

Дел Акција: 363

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 158, Број на Гејтс: 450000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.
A54SX16-1TQG176
Microsemi Corporation

A54SX16-1TQG176

Дел Акција: 366

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 147, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A54SX16-TQG176I
Microsemi Corporation

A54SX16-TQG176I

Дел Акција: 389

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 147, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation

A3P1000-1FG256M

Дел Акција: 462

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation

A3P1000-FGG484M

Дел Акција: 5717

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A3P1000-1FGG256M
Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG256M

Дел Акција: 404

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 177, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.
APA300-FGG256I
Microsemi Corporation

APA300-FGG256I

Дел Акција: 392

Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 186, Број на Гејтс: 300000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation

APA300-FG256I

Дел Акција: 386

Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 186, Број на Гејтс: 300000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Листа на желби.
A3P1000-FG484M
Microsemi Corporation

A3P1000-FG484M

Дел Акција: 466

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 300, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation

A54SX16P-1VQG100I

Дел Акција: 464

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 81, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.