Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

A54SX08A-1TQ144I

Дел Акција: 943

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V2-FG484

Дел Акција: 3101

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V2-FG484I

Дел Акција: 3094

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL400V2-FGG484I

Дел Акција: 3028

Број на логички елементи / ќелии: 9216, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 194, Број на Гејтс: 400000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL400V5-FGG484I

Дел Акција: 3021

Број на логички елементи / ќелии: 9216, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 194, Број на Гејтс: 400000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32-1TQ144M

Дел Акција: 111

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V2-FGG484I

Дел Акција: 2989

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16P-1TQ144I

Дел Акција: 2966

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS600-1FGG484I

Дел Акција: 2983

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 172, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL400V5-FG484I

Дел Акција: 3012

Број на логички елементи / ќелии: 9216, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 194, Број на Гејтс: 400000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P125-TQ144

Дел Акција: 4666

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 100, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V5-FGG484

Дел Акција: 2964

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08A-FTQ144

Дел Акција: 1646

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32-TQ144M

Дел Акција: 150

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLP060V5-VQ176I

Дел Акција: 2114

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 137, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLP060V2-VQ176I

Дел Акција: 1918

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 137, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGL600V2-FGG484

Дел Акција: 2943

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 235, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P125-VQG100

Дел Акција: 5316

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 71, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLP060V5-VQG176I

Дел Акција: 2895

Број на логички елементи / ќелии: 1584, Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 137, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P060-FGG144

Дел Акција: 5324

Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 96, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16P-TQG144I

Дел Акција: 2895

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-TQG144

Дел Акција: 2879

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AGLE600V5-FGG484I

Дел Акција: 2840

Број на логички елементи / ќелии: 13824, Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 270, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

AFS600-FGG484I

Дел Акција: 2847

Вкупни битови за RAM меморија: 110592, Број на I / O: 172, Број на Гејтс: 600000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-TQ144

Дел Акција: 2873

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX08-1TQ144

Дел Акција: 2857

Број на лаборатории / CLB: 768, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 12000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32-TQ144I

Дел Акција: 275

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16P-1TQG144

Дел Акција: 2831

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16P-2TQ144I

Дел Акција: 2858

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX16P-1TQG144I

Дел Акција: 2843

Број на лаборатории / CLB: 1452, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P060-1TQ144

Дел Акција: 4651

Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 91, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P060-2TQ144I

Дел Акција: 4104

Вкупни битови за RAM меморија: 18432, Број на I / O: 91, Број на Гејтс: 60000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A3P125-2TQ144I

Дел Акција: 3674

Вкупни битови за RAM меморија: 36864, Број на I / O: 100, Број на Гејтс: 125000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32-TQ144

Дел Акција: 388

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32A-1TQ144

Дел Акција: 521

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Листа на желби.

Microsemi Corporation

A54SX32-1TQ144I

Дел Акција: 317

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Листа на желби.