Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

BUK9Y25-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-80E,115

Дел Акција: 158384

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 37A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 5V,

Листа на желби.

BUK7Y10-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y10-30B,115

Дел Акција: 111872

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 67A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7Y13-40B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y13-40B,115

Дел Акција: 85175

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 58A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M22-80EX

Дел Акција: 115588

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 37A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK6213-30A,118

Nexperia USA Inc.

BUK6213-30A,118

Дел Акција: 195714

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M6R6-30EX

Дел Акција: 111329

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 70A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M9R1-40EX

Дел Акција: 180232

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 64A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80EX

Дел Акција: 180909

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M43-100EX

Дел Акција: 192680

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M15-60EX

Дел Акција: 168419

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK7Y53-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y53-100B,115

Дел Акција: 173564

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK7Y18-55B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-55B,115

Дел Акција: 185207

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M8R0-40EX

Дел Акција: 133300

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 69A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M12-60EX

Дел Акција: 194417

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 53A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y53-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y53-100B,115

Дел Акција: 117369

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSP126,135

Дел Акција: 181906

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 375mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M27-80EX

Дел Акција: 181775

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M35-80EX

Дел Акција: 172353

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 26A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M19-60EX

Дел Акција: 141900

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y25-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-60E,115

Дел Акција: 135009

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y41-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y41-80E,115

Дел Акција: 158657

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

BUK9245-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9245-55A,118

Дел Акција: 135060

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M10-30EX

Дел Акција: 108711

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 54A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M24-60EX

Дел Акција: 184221

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M10-40EX

Дел Акција: 182442

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 56A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS123,215

Дел Акција: 150743

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M12-40EX

Дел Акција: 189511

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 48A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

BUK7Y20-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y20-30B,115

Дел Акција: 187615

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y22-30B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y22-30B,115

Дел Акција: 143999

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 37.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y72-80E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y72-80E,115

Дел Акција: 140495

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y43-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y43-60E,115

Дел Акција: 139643

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

BUK9Y21-40E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y21-40E,115

Дел Акција: 168547

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK9237-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9237-55A,118

Дел Акција: 193857

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y43-60EX

Дел Акција: 106628

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y72-80EX

Дел Акција: 172331

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y21-40EX

Дел Акција: 183768

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

1135

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»