Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 32

BUK7Y113-100EX

Дел Акција: 131683

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSH108,215

Дел Акција: 127505

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9Y58-75B,115

Дел Акција: 134944

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20.73A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y102-100B,115

Дел Акција: 138695

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y25-40B,115

Дел Акција: 7369

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9Y27-40B,115

Дел Акција: 122280

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9Y29-40E,115

Дел Акција: 147992

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9Y107-80EX

Дел Акција: 180793

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y29-40EX

Дел Акција: 197115

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 26A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M120-100EX

Дел Акција: 152471

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7Y98-80EX

Дел Акција: 113126

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M17-30EX

Дел Акција: 106794

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 37A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9Y59-60E,115

Дел Акција: 148872

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M42-60EX

Дел Акција: 194730

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M33-60EX

Дел Акција: 138424

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M21-40EX

Дел Акција: 165595

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M42-60EX

Дел Акција: 137994

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M53-60EX

Дел Акција: 127342

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS138BK,215

Дел Акција: 197360

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 350mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS138P,215

Дел Акција: 102987

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M52-40EX

Дел Акција: 103987

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17.6A, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M45-40EX

Дел Акција: 141990

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK9M85-60EX

Дел Акција: 159357

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK7M67-60EX

Дел Акција: 153573

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BUK78150-55A/CUF

Дел Акција: 131273

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BST82,215

Дел Акција: 101245

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BST82,235

Дел Акција: 107320

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSH105,215

Дел Акција: 108156

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.05A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSH103,235

Дел Акција: 166503

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 850mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS84AKMB,315

Дел Акција: 134438

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSH105,235

Дел Акција: 159462

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.05A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS84,215

Дел Акција: 112337

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 130mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSH205G2VL

Дел Акција: 115126

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2A, 4.5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS84AKW,115

Дел Акција: 194336

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS138PW,115

Дел Акција: 186845

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 300mA, 10V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

BSS138BKVL

Дел Акција: 131071

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 350mA, 10V,

Листа на желби.