Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 7

BUT12AI,127

Дел Акција: 7161

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 450V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 860mA, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BUT11AI,127

Дел Акција: 7117

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 450V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 330mA, 2.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC639,112

Дел Акција: 5754

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC638,112

Дел Акција: 7158

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC557,112

Дел Акција: 7081

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC549C,112

Дел Акција: 7154

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC369,112

Дел Акција: 7081

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC337,112

Дел Акција: 7128

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC368,112

Дел Акција: 7083

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC327,412

Дел Акција: 7124

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC640,116

Дел Акција: 7087

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC856T,115

Дел Акција: 7151

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC640,126

Дел Акција: 7092

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC639,116

Дел Акција: 7124

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC638,116

Дел Акција: 6750

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC639,126

Дел Акција: 7119

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC636,116

Дел Акција: 7113

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC638,126

Дел Акција: 7080

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC635,116

Дел Акција: 7092

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC635-16,126

Дел Акција: 7084

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC559C,116

Дел Акција: 7155

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC618,112

Дел Акција: 7106

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 55V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC557C,126

Дел Акција: 7136

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC557B,116

Дел Акција: 7085

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC557,116

Дел Акција: 7075

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC556B,116

Дел Акција: 7140

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC550C,116

Дел Акција: 7092

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC550C,112

Дел Акција: 7133

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC547C,126

Дел Акција: 6760

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC547C,116

Дел Акција: 7127

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC547,116

Дел Акција: 7138

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC547B,116

Дел Акција: 7078

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC546B,116

Дел Акција: 7057

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC368,126

Дел Акција: 7099

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC337-40,116

Дел Акција: 7148

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

BC337-25,116

Дел Акција: 7143

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.