Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 7

PH2369,126

Дел Акција: 7059

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 400nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS5140S,126

Дел Акција: 7131

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA64,116

Дел Акција: 7109

Тип на транзистор: PNP - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMEM4030NS,115

Дел Акција: 7105

Тип на транзистор: NPN + Diode (Isolated), Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMBT5401,235

Дел Акција: 7112

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS3515E,135

Дел Акција: 6678

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PN2222A,412

Дел Акција: 7082

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA92,116

Дел Акција: 7084

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 250nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PVR100AZ-B3V0,115

Дел Акција: 6681

Тип на транзистор: NPN + Zener, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA06,412

Дел Акција: 7109

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMEM4030PS,115

Дел Акција: 7082

Тип на транзистор: PNP + Diode (Isolated), Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 390mV @ 300mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA42,116

Дел Акција: 7095

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA43,116

Дел Акција: 7084

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 200V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA14,116

Дел Акција: 7123

Тип на транзистор: NPN - Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA42,126

Дел Акција: 7082

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS4140S,126

Дел Акција: 7044

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMEM4020PD,115

Дел Акција: 7058

Тип на транзистор: PNP + Diode (Isolated), Струја - колектор (Ic) (максимум): 750mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 530mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA92,126

Дел Акција: 7132

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 250nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMBT5401,215

Дел Акција: 7097

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA92,412

Дел Акција: 6794

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 250nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA06,126

Дел Акција: 7043

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS2540E,115

Дел Акција: 6691

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMEM1505NG,115

Дел Акција: 7062

Тип на транзистор: NPN + Diode (Isolated), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMEM4010ND,115

Дел Акција: 6388

Тип на транзистор: NPN + Diode (Isolated), Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPSA56,116

Дел Акција: 6365

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

MPS3904,126

Дел Акција: 5918

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PVR100AZ-B5V0,115

Дел Акција: 5387

Тип на транзистор: NPN + Zener, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMEM1505PG,115

Дел Акција: 6592

Тип на транзистор: PNP + Diode (Isolated), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PVR100AD-B3V0,115

Дел Акција: 5390

Тип на транзистор: NPN + Zener, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMSTA3904,135

Дел Акција: 5380

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PVR100AZ-B3V3,115

Дел Акција: 5440

Тип на транзистор: NPN + Zener, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS3515E,115

Дел Акција: 5381

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PMST5401,135

Дел Акција: 5228

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PZT3906,115

Дел Акција: 5612

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS9110S,126

Дел Акција: 5269

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

NXP USA Inc.

PBSS2515E,115

Дел Акција: 5430

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.