Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | Discrete Semiconductor Products | 16

DTC115ECAHZGT116

Дел Акција: 139

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA144ECAT116

Дел Акција: 180378

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC123YCAT116

Дел Акција: 135808

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTB113ECT116

Дел Акција: 179367

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC144TUAT106

Дел Акција: 139107

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA123YCAHZGT116

Дел Акција: 48

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC024EMT2L

Дел Акција: 154835

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA115GUAT106

Дел Акција: 139470

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC123JMFHAT2L

Дел Акција: 99

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC614TUT106

Дел Акција: 141357

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC124TUAT106

Дел Акција: 191649

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC043TUBTL

Дел Акција: 158763

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA123EMT2L

Дел Акција: 132652

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC144EU3T106

Дел Акција: 129

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA044TUBTL

Дел Акција: 183843

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 60mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTB543XMT2L

Дел Акција: 107201

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA144WUAT106

Дел Акција: 157560

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA043TMT2L

Дел Акција: 167822

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTD114ECHZGT116

Дел Акција: 75

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA024EUBTL

Дел Акција: 191125

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA044TMT2L

Дел Акција: 100947

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 60mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA043EUBTL

Дел Акција: 143195

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA123JU3T106

Дел Акција: 74

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTB113ZKT146

Дел Акција: 138781

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC643TUT106

Дел Акција: 194134

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC143ZU3T106

Дел Акција: 122

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC143XETL

Дел Акција: 180059

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC143XEFRATL

Дел Акција: 82

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA123JETL

Дел Акција: 160945

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTB543ZETL

Дел Акција: 150429

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC123EETL

Дел Акција: 138840

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTA114TKAT146

Дел Акција: 177203

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTB513ZMT2L

Дел Акција: 160573

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC143XMT2L

Дел Акција: 162542

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTD543EETL

Дел Акција: 116897

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

DTC143TCAHZGT116

Дел Акција: 86

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.