Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

Дома
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

Rohm Semiconductor

FMA5AT148

Дел Акција: 154673

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

FMA2AT148

Дел Акција: 118374

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMB51T2R

Дел Акција: 153857

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMD59T2R

Дел Акција: 105571

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMG1T2R

Дел Акција: 157219

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMG6NTR

Дел Акција: 150689

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMD2FHAT2R

Дел Акција: 49

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMG11NTR

Дел Акција: 165669

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMH1FHAT2R

Дел Акција: 58

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMF28NTR

Дел Акција: 191969

Тип на транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMH2NTN

Дел Акција: 169521

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

FMA3AT148

Дел Акција: 146985

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMG4T2R

Дел Акција: 180870

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMD12FHAT2R

Дел Акција: 131

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMH10T2R

Дел Акција: 158251

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

FMA9AT148

Дел Акција: 160440

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

FMG6AT148

Дел Акција: 198922

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB4NTN

Дел Акција: 128057

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMA1NTR

Дел Акција: 139490

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMD9T2R

Дел Акција: 185605

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMG2T2R

Дел Акција: 111599

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMD5T2R

Дел Акција: 109340

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMB11T2R

Дел Акција: 118490

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

FMG2AT148

Дел Акција: 107915

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMH75T2R

Дел Акција: 186217

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMD22NTR

Дел Акција: 132867

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMA5NTR

Дел Акција: 183533

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB11NTN

Дел Акција: 138120

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMH23T110

Дел Акција: 100301

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMG9T2R

Дел Акција: 183074

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMA5T2R

Дел Акција: 112853

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB3NTN

Дел Акција: 176971

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB10NTN

Дел Акција: 138064

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMD53T2R

Дел Акција: 198185

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMH25FHAT2R

Дел Акција: 50

Тип на транзистор: 2 NPN Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMB2AT110

Дел Акција: 172732

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

187

«
1
2
3
4
5
6
»