Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

1N4754A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4754A R0G

Дел Акција: 77

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Листа на желби.
1M180ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180ZHR0G

Дел Акција: 100

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 180V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 136.8V,

Листа на желби.
1N4764A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764A R0G

Дел Акција: 91

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 350 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 76V,

Листа на желби.
1N4741AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHR0G

Дел Акција: 59

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 22 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Листа на желби.
1N4760AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760AHR0G

Дел Акција: 136

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 68V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 51.7V,

Листа на желби.
1N4760A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4760A R0G

Дел Акција: 121

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 68V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 51.7V,

Листа на желби.
1N4744AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744AHR0G

Дел Акција: 74

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 14 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Листа на желби.
1M110ZHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110ZHR0G

Дел Акција: 144

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 110V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 450 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Листа на желби.
1N4740A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740A R0G

Дел Акција: 133

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 7.6V,

Листа на желби.
1N4746A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A R0G

Дел Акција: 117

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Листа на желби.
1N4748AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4748AHR0G

Дел Акција: 94

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 23 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Листа на желби.
1N4749A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749A R0G

Дел Акција: 126

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Листа на желби.
1N4764AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHR0G

Дел Акција: 110

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 350 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 76V,

Листа на желби.
1N4750A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750A R0G

Дел Акција: 126

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 35 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Листа на желби.
1N4743A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743A R0G

Дел Акција: 83

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Листа на желби.
1N4758A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A R0G

Дел Акција: 103

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 110 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Листа на желби.
1N4744A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4744A R0G

Дел Акција: 136

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 14 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Листа на желби.
1N4758AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758AHR0G

Дел Акција: 88

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 110 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Листа на желби.
1N4747A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747A R0G

Дел Акција: 61

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 70 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Листа на желби.
1N4763AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763AHR0G

Дел Акција: 60

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 91V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 250 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Листа на желби.
1N4741A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A R0G

Дел Акција: 58

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 16 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Листа на желби.
1N4742G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742G R1G

Дел Акција: 112

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
1N4742G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742G A0G

Дел Акција: 163

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
1M180ZHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180ZHR1G

Дел Акција: 139

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 180V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 1200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 136.8V,

Листа на желби.
1N4740G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740G R1G

Дел Акција: 109

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 9.9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
1N4740G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740G B0G

Дел Акција: 78

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 9 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
1N4742G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4742G B0G

Дел Акција: 127

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 27.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
1N4740G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740G A0G

Дел Акција: 165

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 9 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 5µA @ 9.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
1PGSMC5351 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5351 R7G

Дел Акција: 130

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 14V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 3 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 10.6V,

Листа на желби.
1PGSMC5357 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5357 R7G

Дел Акција: 178

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 3 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 15.2V,

Листа на желби.
1PGSMC5354 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5354 R7G

Дел Акција: 158

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 17V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 3 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 12.9V,

Листа на желби.
1PGSMC5355 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5355 R7G

Дел Акција: 102

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 3 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 13.7V,

Листа на желби.
1PGSMC5366 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5366 R7G

Дел Акција: 151

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 14 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 29.7V,

Листа на желби.
1PGSMC5354HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5354HR7G

Дел Акција: 112

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 17V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 3 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 12.9V,

Листа на желби.
1PGSMC5360 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5360 R7G

Дел Акција: 195

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 25V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 19V,

Листа на желби.
1PGSMC5360HR7G
Taiwan Semiconductor Corporation

1PGSMC5360HR7G

Дел Акција: 99

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 25V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 5W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 19V,

Листа на желби.