Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZX584B5V1 RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V1 RKG

Дел Акција: 147

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.1V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 150mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10mA,

Листа на желби.
BZX79C3V3 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C3V3 A0G

Дел Акција: 120

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 95 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 25µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX79C5V6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX79C5V6 A0G

Дел Акција: 170

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX55B62 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55B62 A0G

Дел Акција: 106

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 47V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZT55B56 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B56 L0G

Дел Акција: 164

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 135 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 42V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX55C6V2 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C6V2 A0G

Дел Акција: 132

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX55C3V3 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C3V3 A0G

Дел Акција: 144

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX55C16 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C16 A0G

Дел Акција: 163

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX55C6V8 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C6V8 A0G

Дел Акција: 146

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 8 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX55C3V0 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX55C3V0 A0G

Дел Акција: 130

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZD27C82PHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C82PHM2G

Дел Акција: 172

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 82V, Толеранција: ±6.09%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 62V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C120P RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C120P RVG

Дел Акција: 220

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 120.5V, Толеранција: ±5.39%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 300 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 91V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C68PHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHM2G

Дел Акција: 149

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 68V, Толеранција: ±5.88%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 51V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C16P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C16P MHG

Дел Акција: 148

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16.2V, Толеранција: ±5.55%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C30P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C30P M2G

Дел Акција: 171

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±6.66%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 22V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C43P M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C43P M2G

Дел Акција: 165

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±6.97%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 33V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C39PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39PHRTG

Дел Акција: 224

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±5.12%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 30V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C9V1PHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C9V1PHMQG

Дел Акција: 232

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.05V, Толеранција: ±6.07%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 4 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C16P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C16P RTG

Дел Акција: 221

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±5.625%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C36P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C36P MHG

Дел Акција: 190

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5.55%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 27V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C62PHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62PHMHG

Дел Акција: 175

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±6.45%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 47V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C27P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C27P RFG

Дел Акција: 198

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±7.03%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 20V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C100P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C100P RHG

Дел Акција: 184

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 100V, Толеранција: ±6%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 200 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 75V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C22PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22PHRQG

Дел Акција: 211

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22.05V, Толеранција: ±5.66%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 16V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C180PHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180PHMHG

Дел Акција: 202

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 179.5V, Толеранција: ±6.4%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 450 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 130V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C12P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P MTG

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±5.41%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 7 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 3µA @ 9.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C27P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C27P MHG

Дел Акција: 141

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±7.03%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 20V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C16P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C16P RHG

Дел Акција: 201

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16.2V, Толеранција: ±5.55%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C18P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C18P RFG

Дел Акција: 154

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±6.38%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 13V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C62P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C62P RTG

Дел Акција: 200

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±6.45%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 47V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C8V2PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C8V2PHRTG

Дел Акција: 139

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±6.09%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 2 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C16P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C16P RTG

Дел Акција: 171

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16.2V, Толеранција: ±5.55%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C75P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C75P RHG

Дел Акција: 156

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±6%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 56V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C43PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43PHRHG

Дел Акција: 198

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±6.97%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 45 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 33V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD17C75P MHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C75P MHG

Дел Акција: 152

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 75V, Толеранција: ±6%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 100 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 56V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C24PHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C24PHMQG

Дел Акција: 225

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24.2V, Толеранција: ±5.78%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 18V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.