Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

BZD17C180P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C180P RTG

Дел Акција: 233

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 180V, Толеранција: ±6.38%, Моќност - Макс: 800mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 450 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 130V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C56P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C56P RTG

Дел Акција: 199

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±7.14%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 43V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C56P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C56P RHG

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 56V, Толеранција: ±7.14%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 43V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZD27C22P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22P RTG

Дел Акција: 176

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22.05V, Толеранција: ±5.66%, Моќност - Макс: 1W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 16V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 200mA,

Листа на желби.
BZV55B2V7 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B2V7 L0G

Дел Акција: 156

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55B30 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B30 L1G

Дел Акција: 194

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 22V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55B3V0 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V0 L0G

Дел Акција: 220

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZT55B30 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B30 L1G

Дел Акција: 218

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 22V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C24 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C24 L0G

Дел Акција: 199

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 18V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55B11 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B11 L0G

Дел Акција: 221

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 8.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55C4V3 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C4V3 L0G

Дел Акција: 162

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 75 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55B43 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B43 L1G

Дел Акција: 191

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 90 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 32V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55B3V3 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V3 L1G

Дел Акција: 180

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZX85C20 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C20 R0G

Дел Акција: 196

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.3W, Импеданса (максимум) (Zzt): 24 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 15V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55B5V6 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B5V6 L1G

Дел Акција: 209

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZT55B24 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B24 L1G

Дел Акција: 205

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 18V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B18 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B18 L1G

Дел Акција: 184

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 50 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 13V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX85C16 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C16 R0G

Дел Акција: 202

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.3W, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 500nA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C5V6 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C5V6 L0G

Дел Акција: 203

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 5.6V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 25 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B16 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B16 L1G

Дел Акција: 173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 12V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55C3V3 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C3V3 L1G

Дел Акција: 217

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.3V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55C24 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C24 L1G

Дел Акција: 220

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 18V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B2V4 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B2V4 L1G

Дел Акција: 233

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.4V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 50µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C36 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C36 L0G

Дел Акција: 205

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 80 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 27V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C2V7 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C2V7 L0G

Дел Акција: 158

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZX85C8V2 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C8V2 R0G

Дел Акција: 155

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 1.3W, Импеданса (максимум) (Zzt): 5 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 6.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C6V2 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C6V2 L1G

Дел Акција: 181

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 10 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B12 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B12 L1G

Дел Акција: 208

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 20 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 9.1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B3V0 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B3V0 L1G

Дел Акција: 233

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 4µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55C3V9 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C3V9 L0G

Дел Акција: 170

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.9V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55B3V6 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V6 L0G

Дел Акција: 197

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 3.6V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 2µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55B4V3 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B4V3 L1G

Дел Акција: 248

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 4.3V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 75 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 1µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55C62 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C62 L1G

Дел Акција: 210

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 62V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 150 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 47V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZV55B10 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B10 L1G

Дел Акција: 164

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 15 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA,

Листа на желби.
BZV55C6V8 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C6V8 L0G

Дел Акција: 190

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±5%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 8 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 100nA @ 3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.
BZT55B2V7 L1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B2V7 L1G

Дел Акција: 235

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 2.7V, Толеранција: ±2%, Моќност - Макс: 500mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 85 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 1V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA,

Листа на желби.