Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2006G C0G

Дел Акција: 94

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFAF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1608GHC0G

Дел Акција: 72

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1605G C0G

Дел Акција: 84

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
HERAF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1602G C0G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
HERAF804G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF804G C0G

Дел Акција: 91

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
LSR106 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR106 L0G

Дел Акција: 113

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2006GHC0G

Дел Акција: 79

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES15GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15GLWHRVG

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2005G C0G

Дел Акција: 85

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBRF2035 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2035 C0G

Дел Акција: 85

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFS1003G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1003G MNG

Дел Акција: 147

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBR1645 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1645 C0G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 630mV @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1002G C0G

Дел Акција: 78

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
HERA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA801G C0G

Дел Акција: 75

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
HERAF1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1004G C0G

Дел Акција: 72

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
GPA805HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GPA805HC0G

Дел Акција: 74

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES15DLW RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES15DLW RVG

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1060 C0G

Дел Акција: 77

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA1040HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1040HC0G

Дел Акција: 131

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MUR820 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR820 C0G

Дел Акција: 109

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
SFF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2002G C0G

Дел Акција: 115

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBRF7150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7150HC0G

Дел Акција: 108

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFAF502G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF502G C0G

Дел Акција: 136

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFAF1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1002G C0G

Дел Акција: 103

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
UGF10J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF10J C0G

Дел Акција: 118

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 25ns,

Листа на желби.
SFF1001GAHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1001GAHC0G

Дел Акција: 96

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
UF1GLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1GLWHRVG

Дел Акција: 111

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.
LSR104 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation

LSR104 L0G

Дел Акција: 143

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFAF508GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF508GHC0G

Дел Акција: 84

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
HERAF1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF1007G C0G

Дел Акција: 135

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 80ns,

Листа на желби.
SFAF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1606G C0G

Дел Акција: 118

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFF1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1006GHC0G

Дел Акција: 119

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1005GHC0G

Дел Акција: 74

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBR16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16100 C0G

Дел Акција: 80

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S1KFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1KFSHMXG

Дел Акција: 69

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLWHRVG

Дел Акција: 147

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.