Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SFS1601GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1601GHMNG

Дел Акција: 132

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFAF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2004G C0G

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR109HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR109HA0G

Дел Акција: 139

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1604G C0G

Дел Акција: 135

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFS1605G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1605G MNG

Дел Акција: 99

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF14GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF14GHR0G

Дел Акција: 141

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF3006PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF3006PT C0G

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
RS1GFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GFSHMXG

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
SR010 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR010 A0G

Дел Акција: 120

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBRF2060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2060 C0G

Дел Акција: 96

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR760HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR760HC0G

Дел Акција: 165

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF1606PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1606PT C0G

Дел Акција: 165

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF13G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF13G R0G

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBRS1035HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1035HMNG

Дел Акција: 100

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MUR190A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR190A R0G

Дел Акција: 91

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 900V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SFF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2004G C0G

Дел Акција: 114

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBR10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100 C0G

Дел Акција: 123

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UF1KHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1KHR0G

Дел Акција: 123

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SF2002PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2002PTHC0G

Дел Акција: 87

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
MBRS1690HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1690HMNG

Дел Акција: 132

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UF4007HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007HB0G

Дел Акција: 132

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1606G C0G

Дел Акција: 162

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SRAS8150 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS8150 MNG

Дел Акција: 164

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF2005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2005PT C0G

Дел Акција: 83

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFAF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2005GHC0G

Дел Акција: 131

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
UF1DHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1DHR0G

Дел Акција: 97

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
MBRF1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1090 C0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MBR10200 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10200 C0G

Дел Акција: 81

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA1060 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1060 C0G

Дел Акција: 108

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HERA806G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERA806G C0G

Дел Акција: 164

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 80ns,

Листа на желби.
SR520HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR520HR0G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF62G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF62G B0G

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR102HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR102HR0G

Дел Акција: 72

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF68G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68G B0G

Дел Акција: 153

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR1203HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203HR0G

Дел Акција: 139

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF12GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF12GHR0G

Дел Акција: 139

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.