Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SFAS805G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS805G MNG

Дел Акција: 134

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF2005GHC0G

Дел Акција: 87

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFS1603G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1603G MNG

Дел Акција: 159

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SRAF860 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF860 C0G

Дел Акција: 160

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF66GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF66GHB0G

Дел Акција: 91

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR105 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR105 R1G

Дел Акција: 137

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRAF8150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF8150HC0G

Дел Акција: 105

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
S1MFSHMXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MFSHMXG

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR102HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR102HA0G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ES1DV R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DV R3G

Дел Акција: 156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 15ns,

Листа на желби.
UF1A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF1A A0G

Дел Акција: 85

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
UF4005 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4005 R1G

Дел Акција: 160

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SF15GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF15GHR0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SF1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF1005GHC0G

Дел Акција: 96

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SRAF550HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF550HC0G

Дел Акција: 176

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
F1T1GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T1GHA0G

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
MBRF16H45 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF16H45 C0G

Дел Акција: 118

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 630mV @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFT15GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT15GHA0G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFS1604GHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1604GHMNG

Дел Акција: 110

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
ES1DVHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DVHR3G

Дел Акција: 71

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 15ns,

Листа на желби.
SR810HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR810HR0G

Дел Акција: 72

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR109HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR109HR0G

Дел Акција: 134

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FR106G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR106G R0G

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
SRA10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA10100 C0G

Дел Акција: 75

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UF4003 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4003 R0G

Дел Акција: 150

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
SR505 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR505 R0G

Дел Акција: 81

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SK12H45 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK12H45 R0G

Дел Акција: 90

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFS1002G MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1002G MNG

Дел Акција: 129

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFAF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF2004GHC0G

Дел Акција: 65

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR809 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR809 R0G

Дел Акција: 162

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR105HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR105HR0G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UF4005HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4005HR0G

Дел Акција: 155

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SR520 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR520 B0G

Дел Акција: 167

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF17G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF17G R0G

Дел Акција: 79

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
S1JFS MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

S1JFS MXG

Дел Акција: 145

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF31GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF31GHB0G

Дел Акција: 82

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.