Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
SF38GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF38GHB0G

Дел Акција: 122

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SRAF1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1050HC0G

Дел Акција: 107

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA2020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2020 C0G

Дел Акција: 78

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1030HC0G

Дел Акција: 109

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA1060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1060HC0G

Дел Акција: 108

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR003 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR003 A0G

Дел Акција: 171

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UF4002 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4002 R1G

Дел Акција: 112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
SR1203HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1203HA0G

Дел Акција: 103

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER601G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER601G R0G

Дел Акција: 96

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
HT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HT11G A0G

Дел Акција: 89

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
SR1050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1050HC0G

Дел Акција: 111

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR803 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR803 B0G

Дел Акција: 136

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR510HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR510HA0G

Дел Акција: 95

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
ESGLW RQG
Taiwan Semiconductor Corporation

ESGLW RQG

Дел Акција: 144

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SFT14G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFT14G A0G

Дел Акција: 93

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR503 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR503 B0G

Дел Акција: 98

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR505 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR505 A0G

Дел Акција: 121

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HER103G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER103G B0G

Дел Акција: 141

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
SF45G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF45G A0G

Дел Акција: 151

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SR505HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR505HA0G

Дел Акција: 165

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA2030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2030HC0G

Дел Акција: 90

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SRA1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA1090 C0G

Дел Акција: 87

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SFA1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SFA1006G C0G

Дел Акција: 145

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SRAF850HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF850HC0G

Дел Акција: 117

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR320 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR320 B0G

Дел Акција: 174

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
F1T2GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation

F1T2GHA1G

Дел Акција: 89

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.
HER207G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER207G A0G

Дел Акција: 80

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SRAS2050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2050 MNG

Дел Акција: 139

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF42GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF42GHB0G

Дел Акција: 79

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
SRAF890 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF890 C0G

Дел Акција: 101

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SF12GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF12GHA0G

Дел Акција: 91

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
UF4007HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007HR1G

Дел Акција: 93

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.
SRA850HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRA850HC0G

Дел Акција: 110

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SR002 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR002 B0G

Дел Акција: 173

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MUR4L60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L60 A0G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.28V @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 50ns,

Листа на желби.
SR805 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR805 B0G

Дел Акција: 157

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.