Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

SS14L RUG

Дел Акција: 106

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L R3G

Дел Акција: 98

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1ML M2G

Дел Акција: 188

Тип на диода: Standard, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1AL R3G

Дел Акција: 186

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UG58GHB0G

Дел Акција: 186

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLHR3G

Дел Акција: 121

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRT14 A0G

Дел Акција: 154

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFJL M2G

Дел Акција: 135

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L RUG

Дел Акција: 189

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR215 R0G

Дел Акција: 114

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JL M2G

Дел Акција: 137

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LD M2G

Дел Акција: 117

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

F1T4G A1G

Дел Акција: 180

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL R3G

Дел Акција: 156

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1AL R3G

Дел Акција: 137

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1JL RVG

Дел Акција: 129

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBL R3G

Дел Акција: 187

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L R3G

Дел Акција: 158

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS14LHR3G

Дел Акција: 167

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UG56G B0G

Дел Акција: 148

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.55V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS16LHM2G

Дел Акција: 135

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHR3G

Дел Акција: 157

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHM2G

Дел Акција: 149

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BLHR3G

Дел Акција: 124

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS15L R3G

Дел Акција: 120

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UGS5JHMNG

Дел Акција: 127

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1DL RUG

Дел Акција: 173

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GL RUG

Дел Акција: 186

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

F1T6G A0G

Дел Акција: 113

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1ALHRVG

Дел Акција: 110

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHR3G

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1GLHRUG

Дел Акција: 159

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 1A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 1.8µs,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRT115 A0G

Дел Акција: 99

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRUG

Дел Акција: 128

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 150ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

UG54GHB0G

Дел Акција: 147

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHR3G

Дел Акција: 132

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 800mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.