Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 4

BC547B B1G

Дел Акција: 87

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547A B1G

Дел Акција: 160

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-25 B1G

Дел Акција: 254

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550A A1G

Дел Акција: 215

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC857B RFG

Дел Акција: 232

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-25 RFG

Дел Акција: 215

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 200nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-16 B1G

Дел Акција: 232

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC858C RFG

Дел Акција: 177

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC850AW RFG

Дел Акција: 216

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848A RFG

Дел Акција: 258

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC850BW RFG

Дел Акција: 185

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-40W RFG

Дел Акција: 201

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546A B1G

Дел Акција: 218

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-25W RFG

Дел Акција: 170

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC858B RFG

Дел Акција: 253

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546B B1G

Дел Акција: 168

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546C A1G

Дел Акција: 182

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848C RFG

Дел Акција: 197

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC858A RFG

Дел Акција: 190

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-40 A1G

Дел Акција: 173

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549B A1G

Дел Акција: 180

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848AW RFG

Дел Акција: 230

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548B B1G

Дел Акција: 196

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847BW RFG

Дел Акција: 200

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC857A RFG

Дел Акција: 183

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC849AW RFG

Дел Акција: 265

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548A A1G

Дел Акција: 207

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC857C RFG

Дел Акција: 191

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547C A1G

Дел Акција: 229

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846BW RFG

Дел Акција: 186

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 65V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550A B1G

Дел Акција: 236

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548A B1G

Дел Акција: 186

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547B A1G

Дел Акција: 167

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847AW RFG

Дел Акција: 181

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549A A1G

Дел Акција: 214

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - Пресек на колектори (макс.): 15nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-16 A1G

Дел Акција: 205

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.