Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 97

12CWQ04FN

Дел Акција: 4502

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASL

Дел Акција: 4413

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 15V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

155CMQ015

Дел Акција: 4391

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 15V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 440mV @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045STRR

Дел Акција: 4390

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ04FNTRR

Дел Акција: 4481

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

163CNQ100

Дел Акција: 5444

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ035

Дел Акција: 4475

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ040

Дел Акција: 4477

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FN

Дел Акција: 4397

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 610mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

Дел Акција: 3721

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

Дел Акција: 3649

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

Дел Акција: 3669

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

Дел Акција: 3644

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

Дел Акција: 3638

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

Дел Акција: 3688

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

Дел Акција: 3674

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

Дел Акција: 4418

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

Дел Акција: 3691

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 610mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

Дел Акција: 3663

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 610mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

Дел Акција: 3629

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 15V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

Дел Акција: 3678

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

Дел Акција: 3654

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

Дел Акција: 3703

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 15V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

Дел Акција: 3655

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

Дел Акција: 3673

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

Дел Акција: 3657

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

Дел Акција: 3692

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 55A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 610mV @ 55A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

Дел Акција: 3680

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

Дел Акција: 3603

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

Дел Акција: 3660

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

Дел Акција: 3603

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

Дел Акција: 3691

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045STRL

Дел Акција: 3649

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035STRR

Дел Акција: 3664

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035STRL

Дел Акција: 3607

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ10FNTRL

Дел Акција: 3683

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.