Thyristors - SCRs | Discrete Semiconductor Products | 21

12TTS08STRR

Дел Акција: 4797

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 8A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12.5A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

Дел Акција: 7584

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

Дел Акција: 7614

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

Дел Акција: 7644

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 8A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12.5A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

Дел Акција: 4813

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 8A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12.5A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

Дел Акција: 7583

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

Дел Акција: 7620

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

Дел Акција: 7665

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

Дел Акција: 7597

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

Дел Акција: 7581

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

Дел Акција: 7616

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

Дел Акција: 7605

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

Дел Акција: 7639

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

Дел Акција: 7603

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

Дел Акција: 7640

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

Дел Акција: 7612

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

Дел Акција: 7561

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

Дел Акција: 7567

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

Дел Акција: 7649

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

Дел Акција: 7552

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 8A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 12.5A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

Дел Акција: 6353

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

Дел Акција: 7636

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

Дел Акција: 7571

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

Дел Акција: 7576

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

Дел Акција: 7581

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

Дел Акција: 7613

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

Дел Акција: 7660

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

Дел Акција: 7607

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

Дел Акција: 7638

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

Дел Акција: 7653

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

Дел Акција: 7614

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

Дел Акција: 7665

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 20A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 30A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

Дел Акција: 4828

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 20A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 30A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

Дел Акција: 4854

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

Дел Акција: 4839

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

Дел Акција: 7657

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.