Thyristors - SCRs | Discrete Semiconductor Products | 21

VS-2N682

Дел Акција: 9141

Напон - исклучена состојба: 50V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80

Дел Акција: 5485

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100M

Дел Акција: 4523

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120M

Дел Акција: 4596

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100M

Дел Акција: 4578

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA40M

Дел Акција: 4567

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40M

Дел Акција: 4612

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0

Дел Акција: 581

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.9V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1230A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5205

Дел Акција: 5742

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA100

Дел Акција: 5671

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S10PFP1

Дел Акција: 691

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 175A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 275A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S14P0

Дел Акција: 643

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0

Дел Акција: 433

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0V

Дел Акција: 768

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA10

Дел Акција: 7994

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0L

Дел Акција: 612

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N681

Дел Акција: 9171

Напон - исклучена состојба: 25V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P0VPBF

Дел Акција: 999

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120S90

Дел Акција: 3993

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20

Дел Акција: 8847

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80M

Дел Акција: 4617

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40M

Дел Акција: 4605

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20M

Дел Акција: 4523

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0

Дел Акција: 800

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N691

Дел Акција: 6111

Напон - исклучена состојба: 700V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10

Дел Акција: 8911

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK0

Дел Акција: 754

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA80M

Дел Акција: 4527

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120M

Дел Акција: 4556

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0

Дел Акција: 685

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA20

Дел Акција: 7289

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0

Дел Акција: 1106

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60

Дел Акција: 6023

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P0V

Дел Акција: 1050

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12-M3

Дел Акција: 13041

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1V

Дел Акција: 914

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.