Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

40TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12

Дел Акција: 7524

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.
70TPS16
Vishay Semiconductor Diodes Division

70TPS16

Дел Акција: 7632

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 70A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 75A,

Листа на желби.
70TPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

70TPS12

Дел Акција: 7598

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 70A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 75A,

Листа на желби.
VS-ST330S08P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0

Дел Акција: 466

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-ST110S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16M1

Дел Акција: 751

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.
VS-10RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA20

Дел Акција: 8870

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST1230C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0

Дел Акција: 253

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-2N687
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N687

Дел Акција: 8718

Напон - исклучена состојба: 300V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-2N5207
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5207

Дел Акција: 4744

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-10RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA120

Дел Акција: 5163

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST230S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S16P0PBF

Дел Акција: 816

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-10RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA60

Дел Акција: 6932

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST330C14C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C0L

Дел Акција: 751

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-ST110S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0

Дел Акција: 791

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.
VS-2N689
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N689

Дел Акција: 8208

Напон - исклучена состојба: 500V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-25RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100

Дел Акција: 4921

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.
VS-25RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA80

Дел Акција: 5310

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.
VS-2N686
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N686

Дел Акција: 8703

Напон - исклучена состојба: 250V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-2N683
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N683

Дел Акција: 8778

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-16RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA80

Дел Акција: 4544

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-25RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA80M

Дел Акција: 4542

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.
VS-22RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA40M

Дел Акција: 4593

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-ST103S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN1

Дел Акција: 851

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 165A,

Листа на желби.
VS-16RIA120MS90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120MS90

Дел Акција: 4592

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-22RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA100

Дел Акција: 5769

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-16RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA20M

Дел Акција: 4528

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-22RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA120M

Дел Акција: 4586

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-ST230S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P0VPBF

Дел Акција: 780

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-22RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA100M

Дел Акција: 4570

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-22RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA40

Дел Акција: 6627

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-180RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80PBF

Дел Акција: 1337

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.
VS-ST103S08PFN2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN2

Дел Акција: 830

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 165A,

Листа на желби.
VS-25RIA120MS90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120MS90

Дел Акција: 4585

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.
VS-22RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-22RIA60M

Дел Акција: 4575

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-16RIA10M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA10M

Дел Акција: 4619

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-ST110S12P2V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2V

Дел Акција: 863

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.