Thyristors - SCRs | Discrete Semiconductor Products | 21

VS-25TTS08STRL-M3

Дел Акција: 60563

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFL0

Дел Акција: 783

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12-M3

Дел Акција: 30781

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L1

Дел Акција: 575

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C04C0

Дел Акција: 1588

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16-M3

Дел Акција: 16019

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 20A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 30A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L0

Дел Акција: 564

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0L

Дел Акција: 610

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN1P

Дел Акција: 1051

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 165A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA100

Дел Акција: 5219

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K1

Дел Акција: 285

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K1

Дел Акција: 339

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L0

Дел Акција: 622

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40

Дел Акција: 2180

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 80A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 125A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C14C0L

Дел Акција: 754

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08FP-M3

Дел Акција: 27770

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L1

Дел Акција: 638

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12STRL-M3

Дел Акција: 59516

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0L

Дел Акција: 754

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120

Дел Акција: 1575

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1VPBF

Дел Акција: 768

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL0

Дел Акција: 481

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFK0L

Дел Акција: 1030

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 610A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1P

Дел Акција: 398

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 471A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS16LHM3

Дел Акција: 2702

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 20A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 30A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C16L1L

Дел Акција: 586

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C12C0L

Дел Акција: 1205

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18L1

Дел Акција: 560

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA100M

Дел Акција: 4609

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16S-M3

Дел Акција: 63639

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1PBF

Дел Акција: 419

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C0

Дел Акција: 927

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN2P

Дел Акција: 948

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L1

Дел Акција: 523

Напон - исклучена состојба: 2.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 790A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1557A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFK1

Дел Акција: 829

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L0

Дел Акција: 500

Напон - исклучена состојба: 2.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 790A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1557A,

Листа на желби.