Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

VS-ST1200C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0

Дел Акција: 312

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-ST700C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L1

Дел Акција: 580

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.
VS-ST300C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C1

Дел Акција: 967

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST333C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL1

Дел Акција: 832

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K1

Дел Акција: 326

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.44V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 2310A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 4150A,

Листа на желби.
VS-ST300S12P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0

Дел Акција: 465

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.66V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 470A,

Листа на желби.
VS-ST1230C14K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0LP

Дел Акција: 394

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-2N5206
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5206

Дел Акција: 3882

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 22A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-ST300C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L1

Дел Акција: 595

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK1

Дел Акција: 359

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST1200C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0P

Дел Акција: 341

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-ST183C08CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFL0

Дел Акција: 120

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 370A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 690A,

Листа на желби.
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0L

Дел Акција: 326

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-ST173C12CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFP0

Дел Акција: 955

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 610A,

Листа на желби.
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN1

Дел Акција: 496

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K1P

Дел Акција: 353

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-ST780C06L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L0L

Дел Акција: 589

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.31V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2700A,

Листа на желби.
VS-ST110S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0VPBF

Дел Акција: 1310

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.
VS-ST333S08MFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1

Дел Акција: 419

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 518A,

Листа на желби.
VS-10TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08S-M3

Дел Акција: 90239

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.
VS-ST330C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14L0

Дел Акција: 563

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.9V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1230A,

Листа на желби.
VS-ST330C14C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1

Дел Акција: 780

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-ST333C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL1

Дел Акција: 518

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-ST330S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0PBF

Дел Акција: 466

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-ST300S12P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0PBF

Дел Акција: 672

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.66V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 470A,

Листа на желби.
VS-ST303S04PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFN0P

Дел Акција: 533

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 471A,

Листа на желби.
VS-ST733C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFL1

Дел Акција: 519

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.63V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 940A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1900A,

Листа на желби.
VS-ST083S10PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1P

Дел Акција: 1043

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-50RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60

Дел Акција: 4874

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 80A,

Листа на желби.
VS-ST1230C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0P

Дел Акција: 409

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-ST230C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C1

Дел Акција: 1593

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K1

Дел Акција: 299

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-81RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80PBF

Дел Акција: 2280

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 80A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 125A,

Листа на желби.
VS-ST230C12C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C1L

Дел Акција: 1173

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-ST300C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

Дел Акција: 595

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-40TTS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

Дел Акција: 27457

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 35mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.