Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

VS-ST333C04LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM0

Дел Акција: 588

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-ST303C12LFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0

Дел Акција: 443

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 515A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 995A,

Листа на желби.
VS-ST300C18C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1L

Дел Акција: 609

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST230C12C2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C2

Дел Акција: 1201

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-16TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12S-M3

Дел Акција: 71052

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.
VS-ST083S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0P

Дел Акција: 1009

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST1230C14K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0

Дел Акција: 288

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-30TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12LHM3

Дел Акција: 3020

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 20A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 30A,

Листа на желби.
VS-ST223C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFL1

Дел Акција: 1429

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.58V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 390A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 745A,

Листа на желби.
VS-ST180S06P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S06P1VPBF

Дел Акција: 1120

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.
VS-ST280S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P1V

Дел Акција: 716

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.28V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 280A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 440A,

Листа на желби.
VS-180RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100

Дел Акција: 955

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.
VS-ST083S12PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK1P

Дел Акција: 991

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST1200C20K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0P

Дел Акција: 279

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-2N688
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N688

Дел Акција: 8199

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST1200C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K0

Дел Акција: 293

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-25TTS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SLHM3

Дел Акција: 142

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST333S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFL0

Дел Акција: 420

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 518A,

Листа на желби.
VS-ST730C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0L

Дел Акција: 613

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.
VS-ST203C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST203C12CFJ1

Дел Акција: 954

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.72V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 370A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 700A,

Листа на желби.
VS-ST333C04CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFM1

Дел Акција: 875

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-10TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08SPBF

Дел Акција: 47257

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.
VS-ST380C06C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C0

Дел Акција: 831

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 960A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1900A,

Листа на желби.
VS-ST300C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0

Дел Акција: 843

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-25TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08S-M3

Дел Акција: 72650

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST1200C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0P

Дел Акција: 344

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-10TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08-M3

Дел Акција: 42450

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.
VS-ST700C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L1

Дел Акција: 635

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1

Дел Акција: 556

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.
VS-ST303C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFL1

Дел Акција: 826

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-50TPS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50TPS12L-M3

Дел Акција: 18144

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.32V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 79A,

Листа на желби.
VS-ST303C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFL1

Дел Акција: 470

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-25TTS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRR-M3

Дел Акција: 52782

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST303C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL1

Дел Акција: 918

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST230S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P0VPBF

Дел Акција: 1017

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-ST110S08P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0V

Дел Акција: 1033

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.