Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

Дел Акција: 239

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-ST110S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

Дел Акција: 1122

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

Дел Акција: 2105

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

Дел Акција: 301

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.
VS-ST230S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

Дел Акција: 1121

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-ST223C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

Дел Акција: 1134

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.58V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 390A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 745A,

Листа на желби.
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

Дел Акција: 2128

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 80A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 125A,

Листа на желби.
VS-ST300C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

Дел Акција: 671

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 560A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1115A,

Листа на желби.
VS-50RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100M

Дел Акција: 2663

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 80A,

Листа на желби.
VS-ST083S10PFK2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK2P

Дел Акција: 1018

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST780C06L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L1

Дел Акција: 556

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.31V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2700A,

Листа на желби.
VS-110RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80

Дел Акција: 1589

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST280CH04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C0

Дел Акција: 1110

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 500A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1130A,

Листа на желби.
VS-ST333C04LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM1

Дел Акција: 504

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-ST303C12LFH0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFH0

Дел Акција: 421

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0

Дел Акција: 391

Напон - исклучена состојба: 2.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.
VS-ST733C08LFM0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM0L

Дел Акција: 517

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.63V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 940A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1900A,

Листа на желби.
VS-ST230S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0V

Дел Акција: 828

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-110RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120MPBF

Дел Акција: 809

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST230C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C20C1

Дел Акција: 981

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1L

Дел Акција: 547

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.
VS-ST380C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C1

Дел Акција: 849

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 960A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1900A,

Листа на желби.
VS-25RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40

Дел Акција: 7234

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1L

Дел Акција: 311

Напон - исклучена состојба: 2.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.
VS-ST700C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0L

Дел Акција: 635

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.
VS-ST303C08LFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN0

Дел Акција: 433

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 515A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 995A,

Листа на желби.
VS-16RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60

Дел Акција: 5758

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-ST083S04PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1P

Дел Акција: 1092

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST380CH04C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C0L

Дел Акција: 755

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.58V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 960A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2220A,

Листа на желби.
VS-ST083S08PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1P

Дел Акција: 935

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST230C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C0

Дел Акција: 1564

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-ST223C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN1

Дел Акција: 1059

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.58V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 390A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 745A,

Листа на желби.
VS-ST300C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C0

Дел Акција: 1061

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST333S04PFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFM0

Дел Акција: 402

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 518A,

Листа на желби.
VS-ST083S10PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0

Дел Акција: 749

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST700C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C08L0

Дел Акција: 460

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.