Thyristors - SCRs | Discrete Semiconductor Products | 21

VS-25TTS08FP-M3

Дел Акција: 27190

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1

Дел Акција: 321

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1L

Дел Акција: 570

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16-M3

Дел Акција: 7354

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120MPBF

Дел Акција: 776

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0P

Дел Акција: 974

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P0V

Дел Акција: 733

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.28V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 280A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 440A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C08L0

Дел Акција: 602

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1PBF

Дел Акција: 483

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0V

Дел Акција: 705

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0

Дел Акција: 627

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0L

Дел Акција: 394

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.44V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 2310A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 4150A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1

Дел Акција: 416

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1VPBF

Дел Акција: 1228

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100PBF

Дел Акција: 1106

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K0

Дел Акција: 380

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L1

Дел Акција: 621

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1

Дел Акција: 843

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1

Дел Акција: 637

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN0

Дел Акција: 1083

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 370A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 690A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L1

Дел Акција: 587

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120

Дел Акција: 3842

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0LP

Дел Акција: 398

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFK0

Дел Акција: 491

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0

Дел Акција: 674

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L0

Дел Акција: 480

Напон - исклучена состојба: 2.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 790A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1557A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1L

Дел Акција: 562

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0

Дел Акција: 556

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0V

Дел Акција: 874

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0

Дел Акција: 984

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0VPBF

Дел Акција: 1068

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120M

Дел Акција: 783

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0P

Дел Акција: 345

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P1PBF

Дел Акција: 1084

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFN1

Дел Акција: 852

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1L

Дел Акција: 719

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.