Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

VS-ST180C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C1

Дел Акција: 670

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.
VS-ST230C14C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C0

Дел Акција: 1095

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-ST330C14C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1L

Дел Акција: 761

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-ST700C20L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0L

Дел Акција: 591

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.
VS-50RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40M

Дел Акција: 2684

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 80A,

Листа на желби.
VS-25TTS16SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16SLHM3

Дел Акција: 114

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST700C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0

Дел Акција: 527

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.
VS-111RKI120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120PBF

Дел Акција: 1652

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST330C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L0

Дел Акција: 809

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.9V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1230A,

Листа на желби.
VS-ST173S12PFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFP0

Дел Акција: 863

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 175A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 275A,

Листа на желби.
VS-ST300C16C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C1

Дел Акција: 781

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST083S08PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1P

Дел Акција: 924

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-10TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRL-M3

Дел Акција: 70526

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 1V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 15mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 6.5A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 10A,

Листа на желби.
VS-ST230S12M0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12M0VPBF

Дел Акција: 707

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-ST110S12P2VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2VPBF

Дел Акција: 1173

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.
VS-ST700C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1

Дел Акција: 643

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 910A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1857A,

Листа на желби.
VS-ST180C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C16C1L

Дел Акција: 1039

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.
VS-110RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40PBF

Дел Акција: 2060

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST330C12C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C1

Дел Акција: 783

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-ST1000C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C14K1

Дел Акција: 355

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.
VS-ST180S12P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1VPBF

Дел Акција: 950

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.
VS-ST1230C08K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K1

Дел Акција: 293

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-ST280C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C0

Дел Акција: 1319

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.36V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 500A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 960A,

Листа на желби.
VS-ST173S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFK0

Дел Акција: 580

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 175A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 275A,

Листа на желби.
VS-ST303C12CCL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CCL1

Дел Акција: 633

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI40PBF

Дел Акција: 1525

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.
VS-ST1230C14K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0L

Дел Акција: 279

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-ST303C04LFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFL0

Дел Акција: 560

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 515A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 995A,

Листа на желби.
VS-50RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80

Дел Акција: 3651

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 80A,

Листа на желби.
VS-ST230S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1V

Дел Акција: 651

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-ST330S16P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0

Дел Акција: 412

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-80RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA120PBF

Дел Акција: 2059

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 80A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 125A,

Листа на желби.
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80

Дел Акција: 1180

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.
VS-40TPS12A-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12A-M3

Дел Акција: 8210

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.
VS-ST180C14C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C14C0L

Дел Акција: 1010

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.
VS-16TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16S-M3

Дел Акција: 65156

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.4V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 16A,

Листа на желби.