Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

VS-ST180C20C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C0

Дел Акција: 720

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.
VS-40TPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16PBF

Дел Акција: 12393

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.85V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 35A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 55A,

Листа на желби.
VS-ST083S08PFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1

Дел Акција: 858

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-ST230C14C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1L

Дел Акција: 1143

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-ST303C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFJ1

Дел Акција: 720

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST1230C08K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K0

Дел Акција: 266

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-25TTS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRL-M3

Дел Акција: 60767

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST330C16C3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C3

Дел Акција: 740

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-50RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60M

Дел Акција: 2615

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 100mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 50A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 80A,

Листа на желби.
VS-ST1200C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0

Дел Акција: 213

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-ST1230C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0P

Дел Акција: 335

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1745A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3200A,

Листа на желби.
VS-ST180S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0V

Дел Акција: 823

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.
VS-ST303C12LFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFJ1

Дел Акција: 429

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST300S18M0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0PBF

Дел Акција: 383

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.66V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 470A,

Листа на желби.
VS-ST303C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFN1

Дел Акција: 836

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST330S08P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0PBF

Дел Акција: 552

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-ST330S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0PBF

Дел Акција: 491

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-ST303S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFL0

Дел Акција: 445

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 471A,

Листа на желби.
VS-ST230S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1V

Дел Акција: 736

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-ST333C04LFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL0

Дел Акција: 509

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-ST303S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1

Дел Акција: 419

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 300A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 471A,

Листа на желби.
VS-ST303C12CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1

Дел Акција: 662

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST180C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C1

Дел Акција: 736

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 660A,

Листа на желби.
VS-180RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80

Дел Акција: 1179

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.
VS-ST330S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0

Дел Акција: 433

Напон - исклучена состојба: 1.4kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-180RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40

Дел Акција: 1258

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.
VS-ST173C10CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK0

Дел Акција: 1085

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 610A,

Листа на желби.
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0L

Дел Акција: 393

Напон - исклучена состојба: 2.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.
VS-ST173C10CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP0

Дел Акција: 1001

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.07V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 610A,

Листа на желби.
VS-ST333S08PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0

Дел Акција: 471

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 518A,

Листа на желби.
VS-25TTS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRL-M3

Дел Акција: 52738

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST330C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0L

Дел Акција: 572

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-ST180S08M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08M1V

Дел Акција: 737

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 200A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 314A,

Листа на желби.
VS-ST380CH06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH06C1

Дел Акција: 737

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.58V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 960A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2220A,

Листа на желби.
VS-ST333C08LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFM0

Дел Акција: 441

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1435A,

Листа на желби.
VS-181RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI100

Дел Акција: 1038

Напон - исклучена состојба: 1kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2.5V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.35V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 180A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 285A,

Листа на желби.