Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Thyristors - SCRs

VS-ST380CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C1

Дел Акција: 693

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.58V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 960A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2220A,

Листа на желби.
VS-ST103S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S04PFL0

Дел Акција: 653

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 165A,

Листа на желби.
VS-10RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10RIA40

Дел Акција: 7804

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 10A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-30TPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12-M3

Дел Акција: 11422

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.3V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 20A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 30A,

Листа на желби.
VS-ST083S04PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFM1P

Дел Акција: 1037

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-25RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60M

Дел Акција: 4527

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 25A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 40A,

Листа на желби.
VS-ST780C04L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L1L

Дел Акција: 602

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.31V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2700A,

Листа на желби.
VS-ST300C18C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C0

Дел Акција: 543

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST183C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFL0

Дел Акција: 1195

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 370A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 690A,

Листа на желби.
VS-ST330S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1

Дел Акција: 448

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 330A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 520A,

Листа на желби.
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1

Дел Акција: 349

Напон - исклучена состојба: 2.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1473A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2913A,

Листа на желби.
VS-ST183C08CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFN1

Дел Акција: 1066

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.8V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 370A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 690A,

Листа на желби.
VS-ST103S08PFN2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFN2P

Дел Акција: 1068

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 165A,

Листа на желби.
VS-110RKI120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120

Дел Акција: 1323

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST780C04L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L1

Дел Акција: 630

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.31V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1350A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2700A,

Листа на желби.
VS-ST303C04CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL0

Дел Акција: 860

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.16V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 620A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1180A,

Листа на желби.
VS-ST103S04PFL0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S04PFL0P

Дел Акција: 1060

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 105A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 165A,

Листа на желби.
VS-ST083S08PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN0P

Дел Акција: 1080

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.15V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 85A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 135A,

Листа на желби.
VS-111RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40

Дел Акција: 1740

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST1280C06K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K1

Дел Акција: 323

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.44V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 2310A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 4150A,

Листа на желби.
VS-ST730C20L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1L

Дел Акција: 657

Напон - исклучена состојба: 2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.62V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 990A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 2000A,

Листа на желби.
VS-2N690
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N690

Дел Акција: 6823

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 40mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST230S04M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04M1V

Дел Акција: 668

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.
VS-ST380C06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C1

Дел Акција: 877

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.6V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 960A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1900A,

Листа на желби.
VS-16RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60M

Дел Акција: 4603

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 60mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.75V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 35A,

Листа на желби.
VS-ST330C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C1L

Дел Акција: 710

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.96V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 720A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1420A,

Листа на желби.
VS-ST230C16C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0L

Дел Акција: 1079

Напон - исклучена состојба: 1.6kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.69V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 410A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 780A,

Листа на желби.
VS-111RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI80PBF

Дел Акција: 1912

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 120mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.57V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 172A,

Листа на желби.
VS-ST1200C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K1

Дел Акција: 326

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-25TTS08FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08FPPBF

Дел Акција: 20137

Напон - исклучена состојба: 800V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 2V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 45mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.25V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 16A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 25A,

Листа на желби.
VS-ST330C04L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04L0

Дел Акција: 692

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.9V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1230A,

Листа на желби.
VS-ST300C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0L

Дел Акција: 843

Напон - исклучена состојба: 1.2kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 2.18V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 1290A,

Листа на желби.
VS-ST1200C18K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0P

Дел Акција: 311

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-ST1200C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K1

Дел Акција: 319

Напон - исклучена состојба: 1.8kV, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.73V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 1650A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 3080A,

Листа на желби.
VS-ST110S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P1VPBF

Дел Акција: 1302

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.52V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 110A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 175A,

Листа на желби.
VS-ST230S04M1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04M1VPBF

Дел Акција: 653

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 3V, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 150mA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.55V, Струја - на состојба (Тоа (AV)) (Макс): 230A, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 360A,

Листа на желби.