Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

MBRT200150

Дел Акција: 1643

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTR

Дел Акција: 971

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

Дел Акција: 1363

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

Дел Акција: 1118

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

Дел Акција: 990

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

Дел Акција: 1247

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 125A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

Дел Акција: 1311

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

Дел Акција: 1516

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

Дел Акција: 3862

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

Дел Акција: 997

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

Дел Акција: 1601

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

Дел Акција: 1342

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

Дел Акција: 1538

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

Дел Акција: 1162

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

Дел Акција: 1081

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

Дел Акција: 1224

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

Дел Акција: 1843

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

Дел Акција: 1126

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

Дел Акција: 2471

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 120A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

Дел Акција: 1571

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

Дел Акција: 949

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 600A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

Дел Акција: 1000

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

Дел Акција: 892

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

FST16030

Дел Акција: 1497

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

Дел Акција: 1326

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

Дел Акција: 1388

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

Дел Акција: 1362

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Powerex Inc.

LDR11666

Дел Акција: 41

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 660A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1978A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/4W

Дел Акција: 44467

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150PBF

Дел Акција: 13698

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 830mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30200C-E3/4W

Дел Акција: 26870

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

ON Semiconductor

NRVBD640CTG-VF01

Дел Акција: 107735

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Sensata-Crydom

F1892CCD400

Дел Акција: 927

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 90A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 270A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Micro Commercial Co

MD240C16D2-BP

Дел Акција: 1195

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

STMicroelectronics

STPS10170CT

Дел Акција: 67201

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 170V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

IXYS

DSS2X101-02A

Дел Акција: 2894

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 940mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата