Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

NRVHP620MFDT1G

Дел Акција: 110114

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

ON Semiconductor

NTSV20H120ECTG

Дел Акција: 186022

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CT C0G

Дел Акција: 153

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CTHC0G

Дел Акција: 95

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006GHC0G

Дел Акција: 130

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

STMicroelectronics

STPS1545CG-TR

Дел Акција: 105409

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Rohm Semiconductor

RB706D-40T146

Дел Акција: 102011

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 1mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

Дел Акција: 1833

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

Дел Акција: 2757

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

FST120200

Дел Акција: 1639

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

Дел Акција: 1322

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

Дел Акција: 1579

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

Дел Акција: 1243

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

Дел Акција: 1391

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

Дел Акција: 3294

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

Дел Акција: 1490

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

Дел Акција: 1553

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

Дел Акција: 1489

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

Дел Акција: 3311

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

Дел Акција: 1864

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

FST16045

Дел Акција: 1496

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1045CBP-M3/4W

Дел Акција: 147491

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2060G-E3/4W

Дел Акција: 156407

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D45C-M3/I

Дел Акција: 32760

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 640mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-E3/4W

Дел Акција: 141541

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT4060C-E3/4W

Дел Акција: 69524

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-M3/4W

Дел Акција: 118184

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-M3/4W

Дел Акција: 91361

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.43V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT6045C-M3/4W

Дел Акција: 54606

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 640mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30M120C-M3/4W

Дел Акција: 99774

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60CHM3/I

Дел Акција: 108899

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D45C-M3/I

Дел Акција: 41859

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

SMC Diode Solutions

SBR1545CT

Дел Акција: 121214

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

SMC Diode Solutions

SDURF3040CTR

Дел Акција: 169247

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.45V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Diodes Incorporated

SBR40100CT

Дел Акција: 26567

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Super Barrier, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Power Integrations

LQA40T150C

Дел Акција: 36324

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата