Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

MBRD660CTG
ON Semiconductor

MBRD660CTG

Дел Акција: 81424

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

Дел Акција: 69

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRT300200R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

Дел Акција: 1564

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

Дел Акција: 1548

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRT300150R
GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

Дел Акција: 1563

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

Дел Акција: 1533

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR40080CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

Дел Акција: 1212

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR20060CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

Дел Акција: 1519

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

Дел Акција: 3870

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRT40045R
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

Дел Акција: 1156

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

Дел Акција: 3030

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

Дел Акција: 1552

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MURT20020
GeneSiC Semiconductor

MURT20020

Дел Акција: 1213

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR600100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

Дел Акција: 972

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MSRT200140(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

Дел Акција: 1324

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR500100CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

Дел Акција: 1192

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

Дел Акција: 3096

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRT12035
GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

Дел Акција: 1844

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MUR30060CT
GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

Дел Акција: 1342

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR12030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

Дел Акција: 1491

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
FST160150
GeneSiC Semiconductor

FST160150

Дел Акција: 1636

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
V30DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

Дел Акција: 100592

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 970mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

Дел Акција: 109388

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

Дел Акција: 128134

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 730mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VFT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

Дел Акција: 102836

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VIT4060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

Дел Акција: 67167

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
V40PW60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

Дел Акција: 116952

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

Дел Акција: 121490

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 730mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VIT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

Дел Акција: 47709

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 640mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
V20M120M-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

Дел Акција: 159782

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.01V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
V40120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

Дел Акција: 58911

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
V20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

Дел Акција: 40301

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

Дел Акција: 120106

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

Дел Акција: 157

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

Дел Акција: 152

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.23V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
GHXS010A060S-D3
Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

Дел Акција: 3747

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата