Menu
МакедонскиМакедонски
0Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

Дел Акција: 85835

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

Дел Акција: 40430

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

Дел Акција: 91136

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

Дел Акција: 52402

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

Дел Акција: 159302

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

Дел Акција: 186384

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

Дел Акција: 52472

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

Дел Акција: 63269

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 25V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

Дел Акција: 180307

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

Дел Акција: 169876

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

Дел Акција: 1374

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 250A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

Дел Акција: 665

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

Дел Акција: 149

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

Дел Акција: 130

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

Дел Акција: 73

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

Дел Акција: 106

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

Дел Акција: 156

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

Дел Акција: 104

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

Дел Акција: 130

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

Дел Акција: 78

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

Дел Акција: 119

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

Дел Акција: 96

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

Дел Акција: 107

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

Дел Акција: 128

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

Дел Акција: 79

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

Дел Акција: 145

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 12.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

Дел Акција: 106

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

Дел Акција: 94309

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

Дел Акција: 51763

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

Дел Акција: 146

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

Дел Акција: 101509

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

Дел Акција: 156683

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 70V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 70mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 15mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

Дел Акција: 124599

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

Дел Акција: 119712

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

Дел Акција: 80

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата