Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

RF1601NS2DFHTL

Дел Акција: 163

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 930mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Rohm Semiconductor

RB425DFHT146

Дел Акција: 116312

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT MNG

Дел Акција: 148

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660HMNG

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008G C0G

Дел Акција: 164

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1050CT C0G

Дел Акција: 73

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004GHC0G

Дел Акција: 112

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100HC0G

Дел Акција: 121

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660PTHC0G

Дел Акција: 119

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CT-Y MNG

Дел Акција: 153

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 990mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CT MNG

Дел Акција: 94

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090HC0G

Дел Акција: 131

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004G C0G

Дел Акција: 100

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607 C0G

Дел Акција: 141

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050 C0G

Дел Акција: 138

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150 C0G

Дел Акција: 139

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SR2040 C0G

Дел Акција: 78

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/86A

Дел Акција: 116820

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTRHM3

Дел Акција: 51216

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRHM3

Дел Акција: 83406

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 610mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRR-M3

Дел Акција: 179327

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

Дел Акција: 87641

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

Дел Акција: 156747

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

Дел Акција: 81352

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

Дел Акција: 11518

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

Дел Акција: 190422

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

Дел Акција: 164483

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

Дел Акција: 156818

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

Дел Акција: 87595

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

Дел Акција: 123071

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

Дел Акција: 83378

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

STMicroelectronics

STTH602CBY-TR

Дел Акција: 175500

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

Дел Акција: 196401

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Panasonic Electronic Components

DA37102D0L

Дел Акција: 124296

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPA,115

Дел Акција: 189780

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 440mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

Дел Акција: 811

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата