Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

RB088NS100FHTL

Дел Акција: 75

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 870mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Rohm Semiconductor

UMR12NTN

Дел Акција: 104990

Конфигурација на диода: 2 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

Дел Акција: 112

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

Дел Акција: 86

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

Дел Акција: 173

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 990mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

Дел Акција: 90

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

Дел Акција: 82

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

Дел Акција: 114

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

Дел Акција: 85

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

Дел Акција: 168

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

Дел Акција: 126

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

Дел Акција: 113

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

Дел Акција: 163

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

Дел Акција: 83

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

Дел Акција: 125

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

Дел Акција: 93

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 970mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

Дел Акција: 152

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

Дел Акција: 123

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

FST30100

Дел Акција: 15979

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1-M3

Дел Акција: 67559

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTRHM3

Дел Акција: 72578

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1-M3

Дел Акција: 86952

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRRHM3

Дел Акција: 52467

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035HN3

Дел Акција: 49342

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTLHM3

Дел Акција: 72585

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ060-N3

Дел Акција: 15163

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Diodes Incorporated

MBRF10200CT-JT

Дел Акција: 113089

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 910mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Comchip Technology

MBR2050CT-G

Дел Акција: 114599

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Comchip Technology

CDBT-40S-G

Дел Акција: 190055

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Comchip Technology

CDBD2040-G

Дел Акција: 111181

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

Дел Акција: 78

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 910mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

Дел Акција: 99761

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 770mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

Дел Акција: 99

Конфигурација на диода: 2 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Panasonic Electronic Components

DB3X315E0L

Дел Акција: 108903

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата