Menu
МакедонскиМакедонски
0Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

Дел Акција: 128271

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

Дел Акција: 60706

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 480mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

Дел Акција: 149065

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

Дел Акција: 83931

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

Дел Акција: 88987

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

Дел Акција: 188540

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

Дел Акција: 11025

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

Дел Акција: 17070

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

Дел Акција: 57459

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

Дел Акција: 186416

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

Дел Акција: 12874

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 540mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

Дел Акција: 131

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

Дел Акција: 107

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

Дел Акција: 138

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

Дел Акција: 115

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

Дел Акција: 119

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

Дел Акција: 128

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

Дел Акција: 93

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

Дел Акција: 164

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

Дел Акција: 94

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

Дел Акција: 98

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

Дел Акција: 94

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

Дел Акција: 142

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

Дел Акција: 88

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 930mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

Дел Акција: 141

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

Дел Акција: 127

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

Дел Акција: 101

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 545mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

Дел Акција: 111182

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

Дел Акција: 118616

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

Дел Акција: 79

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

Дел Акција: 176834

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

Дел Акција: 177494

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 10mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

Дел Акција: 92

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

Дел Акција: 110897

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 700mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 700mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата