Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

PDTC123TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123TM,315

Дел Акција: 198239

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Да листата
PDTC124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC124XMB,315

Дел Акција: 138730

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

Да листата
PDTB143EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB143EQAZ

Дел Акција: 106198

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Да листата
PDTD113ZQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD113ZQAZ

Дел Акција: 191015

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Да листата
PDTA143XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143XMB,315

Дел Акција: 167339

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Да листата
PDTC115TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC115TM,315

Дел Акција: 119965

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Да листата
PDTC143TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TM,315

Дел Акција: 144179

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Да листата
PDTC143EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC143EQAZ

Дел Акција: 183191

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC114TMB,315

Дел Акција: 145942

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Да листата
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC115EMB,315

Дел Акција: 187513

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Да листата
PDTA114TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114TMB,315

Дел Акција: 135751

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Да листата
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC114EMB,315

Дел Акција: 181666

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Да листата
PDTC143ZMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143ZMB,315

Дел Акција: 196414

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA043EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA043EMT2L

Дел Акција: 127323

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTC114YMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC114YMFHAT2L

Дел Акција: 120

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTB143ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB143ECHZGT116

Дел Акција: 58

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTA143TMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143TMFHAT2L

Дел Акција: 76

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Да листата
DTC023EUBTL
Rohm Semiconductor

DTC023EUBTL

Дел Акција: 140118

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

Да листата
DTC114YCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC114YCAHZGT116

Дел Акција: 124

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA114TCAT116
Rohm Semiconductor

DTA114TCAT116

Дел Акција: 197746

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Да листата
DTC115TUAT106
Rohm Semiconductor

DTC115TUAT106

Дел Акција: 125980

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Да листата
DTA043ZUBTL
Rohm Semiconductor

DTA043ZUBTL

Дел Акција: 103603

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTA143XETL
Rohm Semiconductor

DTA143XETL

Дел Акција: 154528

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA143XMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143XMFHAT2L

Дел Акција: 81

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA144EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA144EMT2L

Дел Акција: 115065

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTB123EKFRAT146
Rohm Semiconductor

DTB123EKFRAT146

Дел Акција: 69

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTB123TKT146
Rohm Semiconductor

DTB123TKT146

Дел Акција: 124419

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTC114YU3T106
Rohm Semiconductor

DTC114YU3T106

Дел Акција: 62

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA113ZKAT146
Rohm Semiconductor

DTA113ZKAT146

Дел Акција: 178102

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTC043ZMT2L
Rohm Semiconductor

DTC043ZMT2L

Дел Акција: 122981

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTC114ECAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC114ECAHZGT116

Дел Акција: 141

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA143TM3T5G
ON Semiconductor

DTA143TM3T5G

Дел Акција: 156016

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Да листата
SMMUN2111LT3G
ON Semiconductor

SMMUN2111LT3G

Дел Акција: 143334

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTC113EET1G
ON Semiconductor

DTC113EET1G

Дел Акција: 188808

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Да листата
FJX4007RTF
ON Semiconductor

FJX4007RTF

Дел Акција: 2445

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
NSBA114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114TF3T5G

Дел Акција: 105796

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Да листата