Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

PDTC144EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144EM,315

Дел Акција: 129153

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Да листата
PDTA123EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA123EM,315

Дел Акција: 124383

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Да листата
PDTA143XM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143XM,315

Дел Акција: 154115

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Да листата
PDTA114TM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114TM,315

Дел Акција: 198000

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Да листата
PDTA124EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA124EQAZ

Дел Акција: 170547

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Да листата
PDTC144EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144EMB,315

Дел Акција: 190661

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Да листата
PDTC144TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144TMB,315

Дел Акција: 154216

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Да листата
DTC143ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC143ECAT116

Дел Акција: 167420

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTC124XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTC124XEFRATL

Дел Акција: 69

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA143TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143TMT2L

Дел Акција: 104749

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Да листата
DTA013ZUBTL
Rohm Semiconductor

DTA013ZUBTL

Дел Акција: 181648

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTD113ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD113ECHZGT116

Дел Акција: 113

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTD113ECT116
Rohm Semiconductor

DTD113ECT116

Дел Акција: 100985

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTA123JCAT116
Rohm Semiconductor

DTA123JCAT116

Дел Акција: 103671

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA115EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA115EMT2L

Дел Акција: 111770

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTC023JMT2L
Rohm Semiconductor

DTC023JMT2L

Дел Акција: 109540

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTC015EUBTL
Rohm Semiconductor

DTC015EUBTL

Дел Акција: 162811

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTC923TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC923TUBTL

Дел Акција: 157543

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTC124XMT2L
Rohm Semiconductor

DTC124XMT2L

Дел Акција: 100919

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA144GUAT106
Rohm Semiconductor

DTA144GUAT106

Дел Акција: 182490

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTB123YKT146
Rohm Semiconductor

DTB123YKT146

Дел Акција: 199309

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTA143ZCAT116
Rohm Semiconductor

DTA143ZCAT116

Дел Акција: 107740

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA143ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA143ECAT116

Дел Акција: 120659

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA144EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA144EU3T106

Дел Акција: 54

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA024EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA024EMT2L

Дел Акција: 136823

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Да листата
DTB123YCHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB123YCHZGT116

Дел Акција: 135

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Да листата
DTA114YKAT146
Rohm Semiconductor

DTA114YKAT146

Дел Акција: 125826

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA143EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143EMT2L

Дел Акција: 141367

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Да листата
DTA114YCAT116
Rohm Semiconductor

DTA114YCAT116

Дел Акција: 185770

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTC144GUAT106
Rohm Semiconductor

DTC144GUAT106

Дел Акција: 191385

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTC124XCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC124XCAHZGT116

Дел Акција: 66

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
DTA114TM3T5G
ON Semiconductor

DTA114TM3T5G

Дел Акција: 122482

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Да листата
FJX4013RTF
ON Semiconductor

FJX4013RTF

Дел Акција: 2477

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
MUN2237T1G
ON Semiconductor

MUN2237T1G

Дел Акција: 125538

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Да листата
FJV4113RMTF
ON Semiconductor

FJV4113RMTF

Дел Акција: 108899

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
NSV9435T1G
ON Semiconductor

NSV9435T1G

Дел Акција: 171820

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

Да листата