Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 21

S25G

Дел Акција: 13168

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 25A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60100R

Дел Акција: 5437

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR16K05

Дел Акција: 14588

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR6060

Дел Акција: 5361

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH12080

Дел Акција: 2881

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S16GR

Дел Акција: 20582

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 16A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S380YR

Дел Акција: 2044

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 380A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 380A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR85KR05

Дел Акција: 7829

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR85G05

Дел Акција: 7759

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURH10060R

Дел Акција: 3570

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 110ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S70VR

Дел Акција: 9670

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 70A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S70DR

Дел Акција: 9579

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 70A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S40VR

Дел Акција: 9940

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURH7060

Дел Акција: 45

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 110ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH20080

Дел Акција: 2594

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR7010R

Дел Акција: 7638

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR12B05

Дел Акција: 15974

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR2520R

Дел Акција: 9639

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150R

Дел Акција: 120

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S40J

Дел Акција: 12402

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 40A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH240100

Дел Акција: 46

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S300ZR

Дел Акција: 2019

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S70K

Дел Акција: 9606

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 70A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR8035

Дел Акција: 5422

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR85D02

Дел Акција: 7938

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S12QR

Дел Акција: 12920

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S16G

Дел Акција: 15895

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 16A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR12DR02

Дел Акција: 16885

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR85J05

Дел Акција: 7746

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 85A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 85A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR30A02

Дел Акција: 9637

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKR240/18

Дел Акција: 2375

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 165A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH12080R

Дел Акција: 2834

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURH7020R

Дел Акција: 1734

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR6K05

Дел Акција: 12915

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH24020

Дел Акција: 50

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S6MR

Дел Акција: 13500

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 6A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.