Diodes - Rectifiers - Single

Дома
Diodes - Rectifiers - Single

GeneSiC Semiconductor

FR20G02

Дел Акција: 9608

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR6040R

Дел Акција: 5431

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S12Q

Дел Акција: 12884

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR3540R

Дел Акција: 5687

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020R

Дел Акција: 2608

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH12045R

Дел Акција: 2845

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR8060

Дел Акција: 5403

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH240200R

Дел Акција: 32

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR7520

Дел Акција: 5420

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR7545R

Дел Акција: 5427

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR7530R

Дел Акција: 5376

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH120150R

Дел Акција: 2740

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S70J

Дел Акција: 9616

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 70A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

GKR71/08

Дел Акција: 9662

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 95A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR5005

Дел Акција: 7605

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 75ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR12B02

Дел Акција: 15891

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S25DR

Дел Акција: 19271

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 25A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR12GR05

Дел Акција: 12931

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR16D02

Дел Акција: 14942

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 16A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR30AR02

Дел Акција: 9632

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR35100R

Дел Акција: 5747

Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020

Дел Акција: 2616

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR70J02

Дел Акција: 9664

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040

Дел Акција: 2588

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S12BR

Дел Акција: 33090

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 12A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 12A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S300GR

Дел Акција: 1959

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR40BR05

Дел Акција: 12084

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR70BR02

Дел Акција: 9630

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR7580

Дел Акција: 5436

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 75A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 75A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR40J02

Дел Акција: 9655

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR70JR05

Дел Акција: 9665

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

S400YR

Дел Акција: 1977

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 400A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 400A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRH24060R

Дел Акција: 73

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 240A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 780mV @ 240A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR6JR02

Дел Акција: 12965

Тип на диода: Standard, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 250ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FR70B02

Дел Акција: 9666

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 70A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 70A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 200ns,

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR3560

Дел Акција: 5740

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 35A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 35A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

745

«
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
»